[发明专利]一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置在审
申请号: | 201810916553.X | 申请日: | 2018-08-13 |
公开(公告)号: | CN109037366A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 唐碧见;龙昭钦;周慧敏;冷金标 | 申请(专利权)人: | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 掺硼 制绒 下表面 制备 减反射膜层 太阳能电池 正极栅线 制备装置 电池片 负电极 上表面 正电极 双层太阳能电池 凹槽设置 表面设置 磷扩散区 正面栅线 磷扩散 铝背场 刻蚀 内建 电池 穿过 | ||
1.一种多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
对掺硼硅片的进行双面制绒,形成上表面的第一制绒面和下表面的第二制绒面;
对所述掺硼硅片的下表面刻蚀多个穿过所述第二制绒面的凹槽;
对所述硅掺硼硅片的第一制绒面和第二制绒面进行磷扩散;
对所述凹槽设置正极栅线;
对所述掺硼硅片的磷扩散区设置减反射膜层;
在所述减反射膜层表面设置负电极,在所述凹槽的正极栅线刷铝背场并设置正电极。
2.如权利要求1所述多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述对所述掺硼硅片进行双面制绒,包括:
对所述掺硼硅片表面进行机械喷砂;
对所述掺硼硅片进行酸腐蚀制绒。
3.如权利要求2所述多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述对所述掺硼硅片进行酸腐蚀制绒,包括:
对所述掺硼硅片采用HNO3:HF:去离子水体积比为1:2~3:1.5~2.5的酸进行腐蚀制绒。
4.如权利要求1所述多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述减反射膜为氮化硅减反射膜或氧化铝减反射膜。
5.如权利要求1所述多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,多个所述凹槽的宽度相等。
6.如权利要求5所述多级太阳能电池的制备方法,其特征在于,多个所述凹槽平行等间距设置。
7.一种多级太阳能电池,其特征在于,包括从上到下依次设置的第一电极层、第一减反射膜层、第一制绒面层、掺硼电池片主体、第二制绒面层、第二减反射膜层、第二电极层和多个穿过所述第二减反射膜层、所述第二制绒面层与所述掺硼电池片主体连接的凹槽,所述第二电极层包括设置在所述凹槽与所述掺硼电池片主体连接的第一类电极和设置在所述第二减反射膜层下表面的第二类电极,所述第一电极层为第二类电极,所述掺硼电池片主体还包括与所述第二类电极对应的磷扩散层,所述第一类电极包括从上到下依次设置的正极栅线、铝背场和正电极,所述第二类电极为负电极。
8.如权利要求7所述多级太阳能电池,其特征在于,所述第一减反射膜层、所述第二减反射膜层为氮化硅减反射膜层或氧化铝减反射膜层。
9.如权利要求8所述多级太阳能电池,其特征在于,所述第二类电极为银电极。
10.一种多级太阳能电池的制备装置,其特征在于,包括扩散石英舟和镀膜石英舟,所述扩散石英舟包括如权利要求7-9任一项所述多级太阳能电池的凹槽对应的石英舟阻隔条,所述镀膜石英舟包括如权利要求7-9任一项所述多级太阳能电池的凹槽对应的镀膜舟阻隔条。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的