[发明专利]一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置

说明书

本发明公开了一种多级太阳能电池以及制备方法、制备装置，其中制备方法包括：对掺硼硅片的进行双面制绒，形成上表面的第一制绒面和下表面的第二制绒面；对所述掺硼硅片的下表面刻蚀多个穿过所述第二制绒面的凹槽；对所述硅掺硼硅片的第一制绒面和第二制绒面进行磷扩散；对所述凹槽设置正极栅线；对所述掺硼硅片的磷扩散区设置减反射膜层；在所述减反射膜层表面设置负电极，在所述凹槽的正极栅线刷铝背场并设置正电极。通过在掺硼硅片的下表面设置多个凹槽进行正面栅线以及正电极的制备，同时在掺硼硅片的上表面和下表面同时存在负电极，使得在电池片形成多个PN结以及双层太阳能电池，增加内建电池，提高电池片的效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置。

背景技术

由于光伏电池技术的不断成熟，其发电成本大幅下降，从而获得了更大规模的应用，在替代新能源、保护环境方面具有不可替代的作用。

光伏电池中一般采用单晶硅或多晶硅进行制作，高效、低成本的光伏电池是提高市场竞争力的核心。而要获得优质的光伏电池，高品质的单晶硅或多晶硅是前提，而高品质的单晶硅不仅可以用来制作光伏电池，还可以用来制作电子元器件芯片。

目前，硅电池是将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成单个特殊的薄层PN结在光照条件下电子吸收光能跃迁，由于太阳光是由混合光谱未能全部被吸收。目前，硅电池只能对一定光谱范围的太阳光进行吸收，对阳光的利用效率较低。

发明内容

本发明的目的是提供了一种多级太阳能电池以及制备方法和制备装置，提高对阳光的利用效率。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种多级太阳能电池的制备方法，包括：

对掺硼硅片的进行双面制绒，形成上表面的第一制绒面和下表面的第二制绒面；

对所述掺硼硅片的下表面刻蚀多个穿过所述第二制绒面的凹槽；

对所述硅掺硼硅片的第一制绒面和第二制绒面进行磷扩散；

对所述凹槽设置正极栅线；

对所述掺硼硅片的磷扩散区设置减反射膜层；

在所述减反射膜层表面设置负电极，在所述凹槽的正极栅线刷铝背场并设置正电极。

其中，所述对所述掺硼硅片进行双面制绒，包括：

对所述掺硼硅片表面进行机械喷砂；

对所述掺硼硅片进行酸腐蚀制绒。

其中，所述对所述掺硼硅片进行酸腐蚀制绒，包括：

对所述掺硼硅片采用HNO3:HF:去离子水体积比为1:2～3：1.5～2.5的酸进行腐蚀制绒。

其中，所述减反射膜为氮化硅减反射膜或氧化铝减反射膜。

其中，多个所述凹槽的宽度相等。

其中，多个所述凹槽平行等间距设置。

除此之外，本发明实施例还提供了一种多级太阳能电池，包括从上到下依次设置的第一电极层、第一减反射膜层、第一制绒面层、掺硼电池片主体、第二制绒面层、第二减反射膜层、第二电极层和多个穿过所述第二减反射膜层、所述第二制绒面层与所述掺硼电池片主体连接的凹槽，所述第二电极层包括设置在所述凹槽与所述掺硼电池片主体连接的第一类电极和设置在所述第二减反射膜层下表面的第二类电极，所述第一电极层为第二类电极，所述掺硼电池片主体还包括与所述第二类电极对应的磷扩散层，所述第一类电极包括从上到下依次设置的正极栅线、铝背场和正电极，所述第二类电极为负电极。