[发明专利]静态存储单元的形成方法及静态存储单元

权利要求书

1.一种静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述静态存储单元的形成方法包括：

提供基底，所述基底包括衬底及形成于所述衬底上的鳍部，所述鳍部包括源极区域和漏极区域；

在所述基底上依次形成覆盖所述衬底及所述鳍部的多晶硅材料层及覆盖所述多晶硅材料层的第一介质层；

在所述第一介质层中形成对应所述源极区域的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述多晶硅材料层；

在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙以形成对准所述源极区域的第二开口，并执行第一离子注入工艺以对所述源极区域进行离子注入；

去除剩余的所述第一介质层、剩余的所述第一介质层下方的所述多晶硅材料层及所述第二开口下方的所述多晶硅材料层，形成对准所述源极区域的第三开口及对准所述漏极区域第四开口；

执行第二离子注入工艺以对所述源极区域及所述漏极区域进行离子注入以形成源极和漏极。

2.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述源极的离子注入的浓度较所述漏极的离子注入浓度高。

3.如权利要求2所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述源极区域注入的离子包括砷离子和/或磷离子，所述漏极区域注入的离子包括硼离子和/或氟化硼离子。

4.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，执行所述第一离子注入工艺中，对所述源极区域进行离子注入的能量大于等于10⁵ev；执行所述第二离子注入工艺中，对所述源极区域及所述漏极区域进行离子注入的能量小于10⁵ev。

5.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，形成所述第三开口及所述第四开口之后，执行所述第二离子注入工艺之前，所述静态存储单元的形成方法还包括：

去除所述第一侧墙；

在所述第三开口及所述第四开口的侧壁形成第二侧墙。

6.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的横截面宽度为10nm～15nm。

7.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述多晶硅材料层及所述第一介质层之间还形成有一第二介质层，所述第二介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。

8.如权利要求7所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第二介质层与所述多晶硅材料层之间及所述鳍部与所述多晶硅材料层之间均形成有栅介质层。

9.如权利要求1所述的静态存储单元的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括不定型碳或不定型硅中的一种。

10.一种静态存储单元，其特征在于，所述静态存储单元通过如权利要求1至9任一项所述的方法形成，所述静态存储单元包括：

基底，所述基底包括衬底及形成与所述衬底上的鳍部，所述鳍部中形成有源极和漏极，所述源极的离子注入浓度较所述漏极的离子注入浓度大；

位于所述基底上的栅极结构，所述栅极结构位于所述源极与所述漏极之间且覆盖所述鳍部的顶壁和侧壁。