[发明专利]静态存储单元的形成方法及静态存储单元

说明书

本发明提供了一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元，首先单独对所述鳍部中的源极区域执行第一离子注入工艺，然后再对所述源极区域及漏极区域执行第二离子注入工艺，以形成源极和漏极，使所述源极的掺杂浓度较所述漏极的掺杂浓度大，后续对静态存储单元进行读写操作时，所述源极到所述漏极的电流与所述漏极到所述源极的电流是不相等的，即读取电流与写入电流不相等，进而降低了读/写裕量，提高了器件的可靠性和性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元。

背景技术

静态存储器中的鳍式场效应晶体管(Fin Field effect transistor，FinFET)是一种新型的金属氧化半导体场效应晶体管，相较于常规的静态存储器来说，鳍式场效晶体管的体积更小，性能更好，但是现有的鳍式场效晶体管的可靠性和性能都有待提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种静态存储单元的形成方法及静态存储单元，以提高现有的鳍式场效晶体管的可靠性和性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种静态存储单元的形成方法，所述静态存储单元的形成方法包括：

提供基底，所述基底包括衬底及形成于所述衬底上的鳍部，所述鳍部包括源极区域和漏极区域；

在所述基底上依次形成覆盖所述衬底及所述鳍部的多晶硅材料层及覆盖所述多晶硅材料层的第一介质层；

在所述第一介质层中形成对应所述源极区域的第一开口，所述第一开口暴露出部分所述多晶硅材料层；

在所述第一开口的侧壁形成第一侧墙以形成对准所述源极区域的第二开口，并执行第一离子注入工艺以对所述源极区域进行离子注入；

去除剩余的所述第一介质层、剩余的所述第一介质层下方的所述多晶硅材料层及所述第二开口下方的所述多晶硅材料层，形成对准所述源极区域的第三开口及对准所述漏极区域第四开口；

执行第二离子注入工艺以对所述源极区域及所述漏极区域进行离子注入以形成源极和漏极。

可选的，所述源极的离子注入的浓度较所述漏极的离子注入浓度高。

可选的，所述源极区域注入的离子包括砷离子和/或磷离子，所述漏极区域注入的离子包括硼离子和/或氟化硼离子。

可选的，执行所述第一离子注入工艺中，对所述源极区域进行离子注入的能量大于等于10⁵ev；执行所述第二离子注入工艺中，对所述源极区域及所述漏极区域进行离子注入的能量小于10⁵ev。

可选的，形成所述第三开口及所述第四开口之后，执行所述第二离子注入工艺之前，所述静态存储单元的形成方法还包括：

去除所述第一侧墙；

在所述第三开口及所述第四开口的侧壁形成第二侧墙。

可选的，所述第一侧墙的横截面宽度为10nm～15nm。

可选的，所述多晶硅材料层及所述第一介质层之间还形成有一第二介质层，所述第二介质层的材料包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或多种。

可选的，所述第二介质层与所述多晶硅材料层之间及所述鳍部与所述多晶硅材料层之间均形成有栅介质层。

可选的，所述第一介质层的材料包括不定型碳或不定型硅中的一种。

本发明还提供了一种静态存储单元，所述静态存储单元中包括若干个静态存储单元，所述静态存储单元包括：

基底，所述基底包括衬底及形成与所述衬底上的鳍部，所述鳍部中形成有源极和漏极，所述源极的离子注入浓度较所述漏极的离子注入浓度大；