[发明专利]制膜方法在审
| 申请号： | 201810924008.5 | 申请日： | 2018-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110819948A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张同文;罗建恒;耿波;武学伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
1.一种制膜方法，其特征在于，包括：
第一溅射阶段，向靶材加载射频功率，以在晶片表面上形成保护层；
第二溅射阶段，同时向所述靶材加载射频功率和直流功率，以在所述保护层上形成薄膜。
2.根据权利要求1所述的制膜方法，其特征在于，所述第一溅射阶段包括以下步骤：
S1，向反应腔室通入工艺气体，直至工艺气压达到第一预设值，且使工艺气压保持在所述第一预设值；所述工艺气体的流量为第一流量值；
S2，向所述靶材加载射频功率进行等离子体启辉；
S3，保持向所述靶材加载射频功率，以在所述晶片表面上形成所述保护层。
3.根据权利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述步骤S2之后还包括：
降低工艺气压至第二气压值。
4.根据权利要求2所述的制膜方法，其特征在于，在所述步骤S2之后还包括：
降低所述工艺气体的流量至第二流量值。
5.根据权利要求2所述的制膜方法，其特征在于，所述第二溅射阶段包括以下步骤：
S4，保持向所述靶材加载射频功率，并提高所述工艺气体的流量至第三流量值，同时向所述靶材加载直流功率；
S5，降低所述工艺气体的流量至第四流量值，同时保持向所述靶材加载射频功率和直流功率，以在所述保护层上形成所述薄膜。
6.根据权利要求1至5任一项所述的制膜方法，其特征在于，射频功率的取值范围在50W～1000W。
7.根据权利要求1至5任一项所述的制膜方法，其特征在于，直流功率的取值范围在10W～1000W。
8.根据权利要求2至5任一项所述的制膜方法，其特征在于，所述工艺气体的流量的取值范围在10sccm～200sccm。
9.根据权利要求1至5任一项所述的制膜方法，其特征在于，所述保护层的厚度的取值范围在10A～1000A。
10.根据权利要求1至5任一项所述的制膜方法，其特征在于，所述薄膜的厚度的取值范围在300A～20000A。
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