[发明专利]制膜方法

说明书

本发明提供一种制膜方法，其包括：第一溅射阶段，向靶材加载射频功率，以在晶片表面上形成保护层；第二溅射阶段，同时向靶材加载射频功率和直流功率，以在保护层上形成薄膜。本发明提供的制膜方法，其可以减少对晶片表面造成损伤，从而可以提高产品性能。

技术领域

本发明涉及薄膜制造领域，具体地，涉及一种制膜方法。

背景技术

近年来，由于发光二极管(LED)的巨大市场需求，GaN基LED被广泛应用于大功率照明灯、汽车仪表显示、大面积的户外显示屏、信号灯，以及普通照明等的不同领域。在LED芯片制造过程中，由于P型GaN的低掺杂和P型欧姆金属接触的低透光率会引起较高接触电阻和低透光率，严重影响了LED芯片的整体性能的提高。为了提高出光效率和降低接触电阻，开发适用于P型GaN的透明导电薄膜的研究显得尤为重要。ITO薄膜作为一种透明导电薄膜与传统的金属薄膜相比具有可见光透过率高、导电性好、抗磨损、耐腐蚀等的优点，而且ITO薄膜和GaN之间的粘附性较好。因此，ITO薄膜被广泛应用于GaN基芯片的电极材料。

ITO薄膜的制备方法有很多，例如喷涂法、化学气相沉积、蒸发镀膜、磁控溅射法等。在这些方法中，采用磁控溅射方法制备的ITO薄膜具有较低的电阻率、较高的可见光透过率以及较高的重复性。现有的ITO薄膜的制备方法具体为：向反应腔室内通入工艺气体(例如Ar)，并向靶材加载射频功率，以激发工艺气体形成等离子体，然后在继续向靶材加载射频功率的同时，向靶材加载直流功率，等离子体在电场的牵引下轰击靶材，使靶材材料溅射到晶片表面上，从而形成ITO薄膜。

但是，由于上述制膜方法使用射频(RF)+直流(DC)共同溅射，这会使得自靶材溅射出的靶材材料的能量较大，在靶材材料溅射到晶片表面上时，会对晶片上的GaN造成损伤，从而导致产品的VF(正向电压)值升高，Iv(发光强度)值降低，进而造成产品性能下降。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种制膜方法，其可以减少对晶片表面造成损伤，从而可以提高产品性能。

为实现本发明的目的而提供一种制膜方法，包括：

第一溅射阶段，向靶材加载射频功率，以在晶片表面上形成保护层；

第二溅射阶段，同时向所述靶材加载射频功率和直流功率，以在所述保护层上形成薄膜。

可选的，所述第一溅射阶段包括以下步骤：

S1，向反应腔室通入工艺气体，直至工艺气压达到第一预设值，且使工艺气压保持在所述第一预设值；所述工艺气体的流量为第一流量值；

S2，向所述靶材加载射频功率进行等离子体启辉；

S3，保持向所述靶材加载射频功率，以在所述晶片表面上形成所述保护层。

可选的，在所述步骤S2之后还包括：

降低工艺气压至第二气压值。

可选的，在所述步骤S2之后还包括：

降低所述工艺气体的流量至第二流量值。

可选的，所述第二溅射阶段包括以下步骤：

S4，保持向所述靶材加载射频功率，并提高所述工艺气体的流量至第三流量值，同时向所述靶材加载直流功率；

S5，降低所述工艺气体的流量至第四流量值，同时保持向所述靶材加载射频功率和直流功率，以在所述保护层上形成所述薄膜。

可选的，射频功率的取值范围在50W～1000W。

可选的，直流功率的取值范围在10W～1000W。

可选的，所述工艺气体的流量的取值范围在10sccm～200sccm。