[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

半导体衬底，其具有有源侧；

互连层，其接近所述半导体衬底的所述有源侧，所述互连层包括：

第一金属层，其最靠近所述半导体衬底的所述有源侧，所述第一金属层具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧，所述第一侧比所述第二侧更靠近所述有源侧，所述第一金属层的厚度小于1微米，从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件位于所述第一侧的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第一介电构件切断；

贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到所述第一金属层，其中所述TSV位于所述第一金属层的所述第一侧的宽度大于所述连续金属构件的所述尺寸，所述TSV的一部分于所述第一介电构件处贯穿所述第一金属层的所述第一侧与所述第一金属层的所述连续金属构件的两侧。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括位于所述半导体衬底的所述有源侧处且比所述第一金属层更远离所述有源侧的第二金属层，所述第二金属层包括第二介电构件，从俯视视角看，所述第二介电构件切断所述第二金属层的连续金属构件，所述第二介电构件安置成与所述第一介电构件错开。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，所述第二介电构件包括所述第二金属层中的内部部分及外部部分。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其进一步包括位于所述半导体衬底的所述有源侧处且比所述第二金属层更远离所述有源侧的第三金属层，所述第三金属层包括连续金属构件。

5.根据权利要求2所述的半导体结构，其进一步包括位于所述半导体衬底的所述有源侧处且比所述第二金属层更远离所述有源侧的第三金属层，所述第三金属层包括第三介电构件，从俯视视角看，所述第三介电构件切断所述第三金属层的连续金属构件，所述第三介电构件大体上相同于所述第一介电构件。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一介电构件包括间断带。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述TSV与所述连续金属构件直接接触。

8.一种互连图案结构，其包括：

第一金属层，从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第一介电构件切断，所述第一金属层具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧，所述第一侧比所述第二侧更靠近所述有源侧；

第二金属层，其位于所述第一金属层上方，从俯视视角看，所述第二金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第二介电构件切断，其中所述第二介电构件安置成与所述第一介电构件错开；及

贯穿衬底导通孔TSV，其中所述TSV位于所述第一金属层的宽度大于所述连续金属构件的尺寸，且所述TSV的一部分于所述第一介电构件处贯穿所述第一金属层的所述第一侧与所述第一金属层的所述连续金属构件的两侧。

9.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中所述第一金属层的厚度低于1微米。

10.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中：

所述TSV的所述部分停在所述第二金属层的所述连续金属构件。

11.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中所述第一金属层与所述TSV直接接触。

12.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中所述第一介电构件包括闭合带。

13.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中所述第一介电构件包括断开带。

14.根据权利要求8所述的互连图案结构，其中从俯视视角看，所述第一金属层的所述连续金属构件的所述尺寸小于0.5微米。