[发明专利]互连图案结构、半导体结构及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及一种互连图案结构、半导体结构及其制造方法。半导体结构包含：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其位于所述半导体衬底的所述有源侧上方；及贯穿衬底导通孔TSV，其从所述半导体衬底延伸到第一金属层。所述互连层包含最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度低于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米。所述连续金属构件由第一介电构件切断。

技术领域

本发明实施例涉及互连图案结构、半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业已经历快速成长。IC材料及设计的技术进步已产生数代IC，其中各代具有比前一代更小及更复杂的电路。然而，这些进步已增加处理及制造IC的复杂性，且为实现这些进步，需要IC处理及制造的类似发展。在集成电路演进的过程中，功能密度(即，单位芯片面积的互连装置的数目)已普遍增大，同时几何大小(即，可使用工艺产生的最小组件(或线))已减小。

作为半导体制造的一部分，可形成导电元件以对一IC的各种组件提供电互连。例如，可通过在层间介电质(ILD)中蚀刻开口且使用导电材料填充开口来形成用于使不同金属层互连的导电导通孔。然而，随着半导体制造技术节点不断演进，临界尺寸及节距变得越来越小，且处理窗变得越来越严紧。因此，会发生重叠误差(例如失准导通孔)，其可导致例如可靠性测试边限减小或制造性能变差的问题。

因此，尽管常规导通孔形成过程一般已足以满足其所希望目的，但其尚无法在各方面令人满意。

发明内容

本发明的一实施例揭露一种半导体结构，其包括：半导体衬底，其具有有源侧；互连层，其接近所述半导体衬底的所述有源侧，所述互连层包括最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，所述第一金属层的厚度小于1微米，且从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第一介电构件切断；贯穿衬底导通孔(TSV)，其从所述半导体衬底延伸到所述第一金属层。

本发明的一实施例揭露一种互连图案结构，其包括：第一金属层，从俯视视角看，所述第一金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第一介电构件切断；及第二金属层，其位于所述第一金属层上方，从俯视视角看，所述第二金属层的连续金属构件的尺寸小于2微米，其中所述连续金属构件由第二介电构件切断，其中所述第二介电构件安置成与所述第一介电构件错开。

本发明的一实施例揭露一种用于制造半导体结构的方法，其包括：接收具有有源侧的半导体衬底；形成最靠近所述半导体衬底的所述有源侧的第一金属层，其中第一介电构件切断所述第一金属层的连续金属构件；形成位于所述半导体衬底的所述有源侧处且比所述第一金属层更远离所述有源侧的第二金属层，其中第二介电构件切断所述第二金属层的连续金属构件，其中所述第二介电构件安置成与所述第一介电构件错开；及形成从所述半导体衬底延伸到所述第一金属层的贯穿衬底导通孔(TSV)。

附图说明

附图中依举例而非限制的方式绘示一或多个实施例，其中具有相同元件符号的元件表示所有图中的相同元件。除非另有揭露，否则图式未按比例绘制。

图1是展示根据本揭露的一些实施例的半导体结构的互连的剖面图。

图2是展示根据本揭露的一些实施例的半导体结构的互连的剖面图。

图3是展示根据本揭露的一些实施例的半导体结构的互连的剖面图。

图4是展示根据本揭露的一些实施例的半导体结构的互连的剖面图。

图5是展示根据本揭露的一些实施例的半导体结构的互连的剖面图。

图6是展示根据本揭露的一些实施例的两个相邻层的互连图案结构的俯视图。

图7是展示根据本揭露的一些实施例的两个相邻层的互连图案结构的俯视图。