[发明专利]检查缺陷的方法和使用该方法制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种检查缺陷的方法，所述方法包括：

将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，所述多个检查区域中的每一个检查区域具有至少一个裸芯，所述半导体衬底包括设置在其上的图案；

从多个检查区域中的每一个检查区域获得光学图像；

获得参考区域和比较区域之间的差分图像，所述参考区域是所述多个检查区域中的一个检查区域，所述比较区域是所述多个检查区域当中除所述参考区域之外的区域；

通过对差分图像中的相同位置像素的各个信号强度执行信号分析来确定异常像素；以及

通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。

2.如权利要求1所述的方法，其中

所述图案是通过使用掩膜形成的光刻胶图案，所述掩膜具有在其中容纳某一数量的多个裸芯的场，以及

多个检查区域中的每一个检查区域具有与所述场相对应的尺寸。

3.如权利要求1所述的方法，其中

通过使用光刻胶图案作为蚀刻掩膜执行蚀刻过程来形成图案，以及

通过使用掩膜形成光刻胶图案，所述掩膜具有在其中容纳某一数量的多个裸芯的场。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述参考区域是位于所述多个检查区域当中的半导体衬底的中心部分的区域。

5.如权利要求1所述的方法，其中，确定异常像素包括互相比较以下各项中的至少一个：分别与相同位置像素的位置相对应的散射程度、或者分别与相同位置像素的位置相对应的信号强度的变化趋势。

6.如权利要求1所述的方法，其中，确定异常像素包括将所述相同位置像素当中的，均显示出信号强度的散射程度小于阈值程度的像素确定为异常像素。

7.如权利要求1所述的方法，其中，确定异常像素包括将具有与大部分相同位置像素的信号强度变化趋势不同的信号强度变化趋势的像素确定为异常像素。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述确定异常像素包括根据各个位置将相同位置像素的信号强度变化趋势拟合成二维函数。

9.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过分类一个或多个可能的弱点图案来确定重复的图案组；以及

指定重复图案组为弱点图案。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述重复图案组与所指定的一个或多个可能的弱点图案当中的相同图案相对应，所述相同图案包括通过旋转、对称、放大或缩小而具有相同形状的一个或多个图案。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供多个半导体衬底；

形成图案，所述图案限定在多个半导体衬底中的每一个半导体衬底上的多个裸芯；

将多个半导体衬底中的一个半导体衬底分成多个检查区域，所述多个检查区域中的每一个检查区域具有至少一个裸芯；

分别从多个检查区域获得光学图像；

获得参考区域和比较区域之间的差分图像，所述参考区域是所述多个检查区域中的一个检查区域，所述比较区域是多个检查区域当中除参考区域之外的区域；

通过对差分图像中的相同位置像素的各个信号强度执行信号分析来确定异常像素；

通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个弱点图案；以及增强弱点图案。

12.如权利要求11所述的方法，其中，

形成图案包括通过使用掩膜形成光刻胶图案，以及

增强弱点图案包括去除所述光刻胶图案并形成新的光刻胶图案。