[发明专利]检查缺陷的方法和使用该方法制造半导体器件的方法

说明书

一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0142568的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明构思涉及检查缺陷的方法和/或通过使用检查缺陷的方法来制造半导体器件的方法，并且更具体地涉及检查可能引起缺陷的弱点图案(weak pattern)的方法和/或通过使用检查弱点图案的方法制造半导体器件的方法。

背景技术

随着电子行业和用户的需求的快速发展，电子设备正变得越来越小型化。因此，要求在电子设备中使用具有高集成度的半导体器件，并且半导体器件结构的设计规则变得更加精细。因此，对引起半导体器件故障的缺陷的检查标准正变得更高，并且用于检测缺陷的光学技术正在达到其极限。

发明内容

本发明构思提供了一种检查可能引起缺陷的弱点图案的方法以及通过使用该检查弱点图案的方法来制造半导体器件的方法。

根据本发明构思的一方面，一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像(differential image)，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。

根据本发明构思的另一方面，一种制造半导体器件的方法包括：提供多个半导体衬底、形成图案，该图案限定在多个半导体衬底中的每一个上的多个裸芯，将多个半导体衬底中的一个分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，该参考区域是多个检查区域中的一个，该比较区域是多个检查区域当中除参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个弱点图案，并且增强弱点图案。

根据本发明构思的另一方面，一种检查缺陷的方法包括：从半导体衬底上的多个检查区域中的每一个获得光学图像，该半导体衬底包括图案，该图案通过使用掩膜限定在该半导体衬底上的多个裸芯，该掩膜有场的尺寸，场对应于一组两个或更多个裸芯，多个检查区域中的每一个在尺寸方面对应于该场，将参考区域与比较区域中的每一个进行比较，该参考区域是该多个检查区域当中的一个，并且布置在该半导体衬底的中心区域处，该比较区域是该多个检查区域当中除参考区域之外的区域，获得参考区域和多个比较区域的各个比较区域之间的区域间差分图像；通过根据区域间差分图像中的相同位置像素的位置对信号强度执行信号分析来确定异常像素，通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案，以及指定通过对所指定的一个或多个可能的弱点图案进行分类和分析而获得的重复图案组。

附图说明

根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的示例性实施例，在附图中：

图1A和图1B是示出根据一些示例性实施例的在检查缺陷的方法中和/或在使用该检测缺陷的方法来制造半导体器件的方法中所使用的半导体衬底的平面视图；

图2是用于描述根据示例性实施例的检查缺陷的方法的示意图；