[发明专利]一种器件阵列的巨量转移方法及系统有效
申请号: | 201810931059.0 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN110838462B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 张珂殊;张智武;张悦 | 申请(专利权)人: | 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市包河经济开*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 阵列 巨量 转移 方法 系统 | ||
1.一种器件阵列的巨量转移方法,其特征在于,包括:
步骤1,提供一晶圆,该晶圆包括一承载基板以及多个电子器件,所述多个电子器件以阵列方式排列于该承载基板的一表面上,每个电子器件及承载其的部分承载基板形成一器件单元;
步骤10,将该晶圆贴附在一临时转接板上;
步骤2,沿每个所述器件单元的侧缘对该晶圆进行切割,但每个器件单元与至少一个相邻器件单元仍保持连接,使得相邻器件单元之间实现半粘连,且所有器件单元并未脱离该晶圆;
步骤3,将该晶圆转移至一固定基板,以整个晶圆为单位进行对准,以组装成所需的产品;
步骤4,对转移后的该晶圆沿所述器件单元的侧缘进行再次切割,该再次切割使得该相邻器件单元之间完全分离。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,该步骤2的切割步骤在阵列的长度和/或宽度方向上,沿所述器件单元的部分侧缘或全部侧缘进行切割。
3.如权利要求1或2所述方法,其特征在于,该步骤2的切割步骤在晶圆的厚度方向上,实现相邻器件单元的部分分离或完全分离。
4.如权利要求1所述方法,其特征在于,该步骤2和步骤4中的切割步骤可采用激光切割法、光化学反应法或光物理反应法。
5.如权利要求1所述方法,其特征在于,该步骤2进一步包括:
记录该切割的切割信息;
该步骤4进一步包括:
依据该切割信息,再次进行切割。
6.如权利要求1或2或5所述方法,其特征在于,该步骤10进一步包括:将该晶圆的第一侧贴附在该临时转接板上,对该晶圆的第二侧执行步骤2;
将该晶圆的第二侧接合于该固定基板,对该晶圆的第一侧执行步骤4。
7.如权利要求6所述方法,其特征在于,将该晶圆以电子器件一侧接合于该固定基板,从基板一侧执行该步骤4;或者
将该晶圆以基板一侧接合于该固定基板,从电子器件一侧执行该步骤4。
8.一种用于实现权利要求1、2、4、5、7中任一所述方法的实现器件阵列的巨量转移的系统,其特征在于,晶圆包括一承载基板以及多个电子器件,所述多个电子器件以阵列方式排列于该承载基板的一表面上,每个电子器件及承载其的部分承载基板形成一器件单元,该系统包括:
晶圆切割装置,用于沿每个所述器件单元的侧缘对贴附在一临时转接板上的该晶圆进行预切割,但每个器件单元与至少一个相邻器件单元仍保持连接,使得相邻器件单元之间实现半粘连,且所有器件单元并未脱离该晶圆;
切割信息记录装置,用于记录该预切割的切割信息;
其中,该晶圆切割装置还以整个晶圆为单位进行对准,根据该切割信息对转移至固定基板后的该晶圆沿所述器件单元的侧缘进行再次切割,该再次切割使得相邻器件单元之间完全分离。
9.如权利要求8所述系统,其特征在于,该系统还包括一抓取装置,用于对该晶圆进行抓取。
10.如权利要求8所述系统,其特征在于,该晶圆切割装置的预切割包括:
在阵列的长度和/或宽度方向上,沿所述器件单元的部分侧缘或全部侧缘进行切割;
在晶圆的厚度方向上,实现相邻器件单元的部分分离或完全分离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北科天绘(合肥)激光技术有限公司,未经北科天绘(合肥)激光技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810931059.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种辣脆木瓜丁的制作方法
- 下一篇:一种数据通信方法、装置和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造