[发明专利]一种器件阵列的巨量转移方法及系统有效
申请号: | 201810931059.0 | 申请日: | 2018-08-15 |
公开(公告)号: | CN110838462B | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 张珂殊;张智武;张悦 | 申请(专利权)人: | 北科天绘(合肥)激光技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市包河经济开*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 阵列 巨量 转移 方法 系统 | ||
本发明公开了一种器件阵列的巨量转移方法及系统。该方法包括:步骤1,提供一晶圆,该晶圆包括一承载基板以及多个电子器件,所述多个电子器件以阵列方式排列于该承载基板的一表面上,每个电子器件及承载其的部分承载基板形成一器件单元;步骤2,沿所述器件单元的侧缘对该晶圆进行切割,但每个器件单元与至少一个相邻器件单元仍保持连接,且所有器件单元并未脱离该晶圆;步骤3,对该晶圆进行转移;步骤4,对转移后的该晶圆沿所述器件单元的侧缘再次进行切割,使得该相邻器件单元之间完全分离。
技术领域
本发明涉及转移电子器件的方法,特别是涉及一种器件阵列的巨量转移方法及系统。
背景技术
近年来,各类电子器件均有小型化、巨量化的趋势,以光电转换二极管或发光二极管等为例,在实际使用中,显示面板通常具有数以百万计的发光二极管作为像素,而激光雷达LiDAR设备中,也利用大量的光电转换二极管作为信号接收部件。
由于电子器件尺寸微小,精确对位则是个难题。如果将形成在晶圆wafer上的电子器件一个个分别从晶圆上剥离并拾取后,再对位至对应的承接该电子器件的电路板,工艺比较复杂,配套设备繁复,操作时间长,维护成本较高。而如果将晶圆上的大面积的电子器件一并对位转移至对应的承接电路板时,容易造成对位不准的问题,影响产品的良率。
发明内容
本发明解决的技术问题在于,提出一种器件阵列的巨量转移方法及系统,使得巨量转移器件阵列时更加快速精准。
本发明公开了一种器件阵列的巨量转移方法,包括:
步骤1,提供一晶圆,该晶圆包括一承载基板以及多个电子器件,所述多个电子器件以阵列方式排列于该承载基板的一表面上,每个电子器件及承载其的部分承载基板形成一器件单元;
步骤2,沿所述器件单元的侧缘对该晶圆进行切割,但每个器件单元与至少一个相邻器件单元仍保持连接,且所有器件单元并未脱离该晶圆;
步骤3,对该晶圆进行转移;
步骤4,对转移后的该晶圆沿所述器件单元的侧缘再次进行切割,使得该相邻器件单元之间完全分离。
该步骤2的切割步骤在阵列的长度和/或宽度方向上,沿所述器件单元的部分侧缘或全部侧缘进行切割。
该步骤2的切割步骤在晶圆的厚度方向上,实现相邻器件单元的部分分离或完全分离。
该步骤4的切割步骤在阵列的长度和宽度方向上以及晶圆的厚度方向上,均实现相邻器件单元的完全分离。
该步骤2和步骤4中的切割步骤可采用激光切割法、光化学反应法或光物理反应法。
该步骤2进一步包括:
记录该切割的切割信息;
该步骤4进一步包括:
依据该切割信息,再次进行切割。
该步骤1、2之间还包括:将该晶圆的第一侧贴附在一临时转接板上,对该晶圆的第二侧执行步骤2;
将该晶圆的第二侧接合于一固定基板,对该晶圆的第一侧执行步骤4。
所述方法将该板块以电子器件一侧接合于该固定基板,从基板一侧执行该步骤4;或者,
将该板块以基板一侧接合于该固定基板,从电子器件一侧执行该步骤4。
本发明还公开了一种用于实现器件阵列的巨量转移的系统,晶圆包括一承载基板以及多个电子器件,所述多个电子器件以阵列方式排列于该承载基板的一表面上,每个电子器件及承载其的部分承载基板形成一器件单元,该系统包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造