[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在第一导电类型的衬底的表面区域形成第二导电类型的第一注入区；

在所述衬底上形成第一外延层，所述第一外延层包括第二导电类型的第一部分以及第一导电类型的第二部分，所述第一部分覆盖所述第一注入区；

在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层；

在所述第一部分上方的所述第二外延层内形成第一沟槽，在所述第二部分上方的第二外延层内形成第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽均贯穿所述第二外延层；

在所述第一沟槽侧壁上形成侧墙；

在所述第一沟槽及所述第二沟槽内分别形成第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；

在所述第四外延层的上表面区域形成第二导电类型的第二注入区；

在所述第三外延层及所述第四外延层上分别形成第二导电类型的第五外延层及第二导电类型的第六外延层，所述第五外延层及所述第六外延层的上表面与所述第二外延层的上表面对齐；

分别形成介质层、第一正面电极、第二正面电极以及背面电极。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一外延层具体包括：

在所述衬底表面生长第一导电类型的外延层；

在所述外延层的部分区域内注入第二导电类型的离子形成所述第一部分，所述外延层除所述第一部分的其他区域为所述第二部分。

3.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，分别形成所述介质层、第一正面电极、第二正面电极以及背面电极具体包括：

在所述第二外延层上淀积所述介质层；

在所述介质层上形成第一接触孔及所述第二接触孔，其中，所述第一接触孔位于所述第五外延层上方，所述第二接触孔位于所述第六外延层上方；

在所述第一接触孔及所述第二接触孔以及所述介质层上淀积形成与所述第五外延层连接的第一正面电极以及与所述第六外延层连接的第二正面电极；

在所述衬底远离所述第一外延层的表面形成背面电极。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第一注入区间隔分布于所述衬底的上表面。

5.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述第二注入区间隔分布于所述第一外延层的上表面。

6.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；

形成于所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层包括第二导电类型的第一部分以及第一导电类型的第二部分，所述第一部分覆盖所述第一注入区；

形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；

形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二外延层内且位于所述第二部分上方的第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽贯穿所述第二外延层；

形成在所述第一沟槽侧壁上的侧墙；

分别形成于所述第一沟槽及所述第二沟槽内的第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；

形成在所述第四外延层上表面区域的第二注入区；

形成在所述第三外延层及所述第四外延层上的第二导电类型的第五外延层及第二导电类型的第六外延层，所述第五外延层及所述第六外延层的上表面与所述第二外延层的上表面对齐；

介质层、第一正面电极、第二正面电极以及背面电极。