[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其制作方法

说明书

本发明涉及一种瞬态电压抑制器，包括：衬底；形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；形成于所述衬底上的第一外延层；形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二外延层内且位于所述第二部分上方的第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽贯穿所述第二外延层；分别形成于所述第一沟槽及所述第二沟槽内的第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；形成在所述第四外延层上表面区域的第二注入区。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种瞬态电压抑制器及其制作方法。

背景技术

瞬态电压抑制器是一种用来保护敏感半导体器件，使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特别设计的固态半导体器件，它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。现有的瞬态电压抑制器通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击，但目前需要对多个不同的电路进行保护时，就需要采用多个不同的瞬态电压抑制器来保护，这样就浪费了芯片的面积，不利于成本的节约，因此不能满足市场的需求。

发明内容

本发明实施例提供了一种三极管及其制作方法，能够使所述三极管的放大系数更加稳定，提高器件性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种瞬态电压抑制器的制作方法，所述方法包括：在第一导电类型的衬底的表面区域形成第二导电类型的第一注入区；在所述衬底上形成第一外延层，所述第一外延层包括第一导电类型的第一部分以及第二导电类型的第二部分，所述第二部分覆盖所述第一注入区；在所述第一外延层上形成第一导电类型的第二外延层；在所述第一部分上方的所述第二外延层内形成第一沟槽，在所述第二部分上方的第二外延层内形成第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽均贯穿所述第二外延层；在所述第一沟槽侧壁上形成侧墙；在所述第一沟槽及所述第二沟槽内分别形成第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；在所述第四外延层的上表面区域形成第二导电类型的第二注入区；在所述第三外延层及所述第四外延层上分别形成第二导电类型的第五外延层及第二导电类型的第六外延层，以分别将所述第一沟槽及所述第二沟槽填满；通过快速热退火工艺，以激活所述第一注入区及所述第二注入区的杂质，同时所述第六外延层的杂质扩散到两侧的第二外延层内形成第一导电类型的浅结13；以及分别形成介质层、第一正面电极、第二正面电极以及背面电极。

第二方面，本发明实施例提供了一种瞬态电压抑制器，包括：第一导电类型的衬底；形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；形成于所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层包括第一导电类型的第一部分以及第二导电类型的第二部分，所述第二部分覆盖所述第一注入区；形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二外延层内且位于所述第二部分上方的第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽贯穿所述第二外延层；形成在所述第一沟槽侧壁上的侧墙；分别形成于所述第一沟槽及所述第二沟槽内的第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；形成在所述第四外延层上表面区域的第二注入区；形成在所述第三外延层及所述第四外延层上的第二导电类型的第五外延层及第二导电类型的第六外延层，所述第五外延层及所述第六外延层的上表面与所述第二外延层的上表面对齐；介质层14、第一正面电极、第二正面电极以及背面电极。

可以理解，本发明的实施例通过所述第一部分及第二部分，以及分别位于所述第一部分及所述第二部分上方的所述第一沟槽及所述第二沟槽，同时还在所述第一部分下方的第一外延层内形成第一注入区，进而形成两条具有不同抑制电压的保护通路，可以方便对不同的电路进行保护，节约了成本且迎合了市场的需求。