[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统

权利要求书

1.一种半导体系统，包括：

第一半导体器件，其被配置为：根据错误代码的逻辑电平来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号；以及

第二半导体器件，其被配置为：在刷新操作期间响应于所述第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行存储区的错误清洗操作，以及被配置为：在所述刷新操作期间响应于所述第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行所述存储区的错误清洗操作。

2.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，所述错误清洗操作校正所述存储区中储存的内部数据的错误，并且将校正的所述内部数据恢复到所述存储区中。

3.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，所述第一半导体器件被配置为：输出命令/地址信号和用于激活所述错误清洗操作的错误清洗进入信号，以及接收或输出外部数据。

4.根据权利要求1所述的半导体系统，

其中，所述第一半导体器件被配置为：包括错误清洗控制信号发生电路；以及

其中，所述错误清洗控制信号发生电路被配置为：根据所述错误代码的计数数量来产生所述第一错误清洗控制信号和所述第二错误清洗控制信号。

5.根据权利要求4所述的半导体系统，其中，所述错误清洗控制信号发生电路包括：

比较电路，其被配置为：将所述错误代码与包括预定数量的比较代码进行比较，以产生比较信号；以及

错误清洗控制信号输出电路，其被配置为：响应于错误清洗进入信号和所述比较信号而输出所述第一错误清洗控制信号和所述第二错误清洗控制信号。

6.根据权利要求1所述的半导体系统，其中，所述第二半导体器件包括：

控制电路，其被配置为：在所述刷新操作期间响应于所述第一错误清洗控制信号而在所述第一周期时间从命令/地址信号产生内部地址以及被配置为：在所述刷新操作期间响应于所述第二错误清洗控制信号而在所述第二周期时间从所述命令/地址信号产生所述内部地址；

所述存储区，其被配置为：根据所述内部地址而储存内部数据或输出储存的所述内部数据；以及

错误检测电路，其被配置为：在所述刷新操作被执行时，在所述错误清洗操作期间检测从所述存储区输出的所述内部数据中包括的错误，并且产生所述错误代码，在从所述存储区输出的所述内部数据被检测到错误时所述错误代码被计数。

7.根据权利要求6所述的半导体系统，其中，所述控制电路包括：

错误清洗控制电路，其被配置为：响应于所述第一错误清洗控制信号和所述第二错误清洗控制信号，根据刷新信号的输入次数来产生模式信号，并且响应于所述第一错误清洗控制信号和所述第二错误清洗控制信号，根据所述刷新信号的输入次数来输出清洗地址；以及

内部地址发生电路，其被配置为：响应于所述模式信号和所述刷新信号而将所述命令/地址信号和所述清洗地址中的至少一个输出为所述内部地址，或者被配置为：响应于所述模式信号和所述刷新信号而对所述内部地址进行计数。

8.根据权利要求6所述的半导体系统，其中，所述错误检测电路包括：

错误校正电路，其被配置为：在所述错误清洗操作期间检测所述内部数据的错误以产生检测信号、在所述错误清洗操作期间校正所述内部数据的错误、在读取操作期间将所述内部数据输出为外部数据、以及在写入操作期间将所述外部数据输出为所述内部数据；以及

错误代码发生电路，其被配置为：产生响应于所述检测信号而被计数的所述错误代码。