[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统

说明书

本发明公开了一种半导体器件及包括其的电子系统。半导体系统包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件根据包括与错误发生次数有关的信息的错误代码的逻辑电平组合来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号。第二半导体器件在刷新操作期间响应于第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行存储区的错误清洗操作，以及在刷新操作期间响应于第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行存储区的错误清洗操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月19日提交的申请号为10-2017-0175331的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种执行错误清洗(error scrub)操作的半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。

背景技术

半导体可以根据各种方案来设计，以在每个时钟周期期间输入或输出多比特位数据来提高半导体器件的操作速度。然而，随着向半导体器件输入数据或从半导体器件输出数据的速度增加，数据错误的概率也会增加。因此，可能需要改进的方法和/或器件来增强向存储器件的数据处理和从存储器件的数据处理。

在半导体器件的数据处理中，为了提高数据传输的可靠性，通常利用用于检测和校正数据中的错误的错误代码来传输数据。因此，典型的错误代码可以包括用于检测错误的错误检测码(EDC)和用于校正错误的错误校正码(ECC)。

发明内容

根据一个实施例，一种半导体系统可以包括第一半导体器件和第二半导体器件。所述第一半导体器件可以根据包括与错误发生次数有关的信息的错误代码的逻辑电平组合来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号。所述第二半导体器件可以在刷新操作期间响应于所述第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行存储区的错误清洗操作，以及可以在所述刷新操作期间响应于所述第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行所述存储区的所述错误清洗操作。

根据另一个实施例，提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括错误检测电路、错误清洗控制信号发生电路和控制电路。所述错误检测电路可以在刷新操作期间检测从存储区输出的内部数据中包括的错误，以产生错误代码，如果所述内部数据的错误被检测到，所述错误代码被计数。所述错误清洗控制信号发生电路可以根据所述错误代码的逻辑电平组合来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号。所述控制电路可以响应于所述第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行错误清洗操作，以及可以响应于所述第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行所述错误清洗操作。

根据又一个实施例，提供了一种半导体器件。所述半导体器件可以包括错误检测电路和控制电路。所述错误检测电路可以在刷新操作期间产生包括与从存储区输出的内部数据中所包括的错误有关的信息的错误代码。所述控制电路可以响应于根据所述错误代码的逻辑电平组合的第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号来调整错误清洗操作的周期时间。

当结合附图阅读用于实践本发明的优选实施例的以下描述时，本公开的其他应用对于本领域技术人员将变得显而易见。

附图说明

本文中的描述参考了附图，其中，在几个视图中，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：

图1是示出根据本公开的一个实施例的半导体系统的配置的框图；

图2是示出图1的半导体系统中包括的错误清洗控制信号发生电路的一个示例的配置的框图；

图3是示出图2的错误清洗控制信号发生电路中包括的比较电路的一个示例的配置的电路图；

图4是示出图2的错误清洗控制信号发生电路中包括的错误清洗控制信号输出电路的一个示例的配置的电路图；

图5是示出图1的半导体系统中包括的控制电路的一个示例的配置的框图；