[发明专利]一种漏电过程自控的凹入式沟道动态随机存储器单元

权利要求书

1.一种具有漏电过程自控能力的凹入式沟道（Recessed Channel）动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）单元，其结构主要包括凹入式沟道(RecessedChannel)鳍式（Fin）访问晶体管(Access Transistor)，存储电容，以及扩展式源极金属，其特征在于，存储电容，扩展式源极金属，鳍式晶体管的源极三者互相连接，成为等势体；

所述扩展式源极金属扩展至沟道与栅极金属之间，并由栅极绝缘层与沟道和栅极金属隔绝，存储电容底电极与源极、源极扩展金属接触，顶电极通常接地；

所述凹入式沟道鳍式访问晶体管由源极，凹入式沟道，漏极，控制凹入式沟道的栅极金属以及隔绝介电层组成，栅极金属接DRAM字线，漏极接DRAM的位线。

2.根据权利要求1所述的动态随机存储器，存储电容为堆叠式存储电容器，电容器位于源极和扩展式源极金属上方。

3.根据权利要求1所述的动态随机存储器，源极扩展金属一端与源极、存储电容底电极相连，另一端扩展至完整的凹入式沟道上方，与沟道之间为高介电常数介电层，与栅极金属之间利用介电层隔绝。

4.根据权利要求3所述，扩展式源极金属包括两部分，一部分为与源极接触部分，另一部分沿凹入式沟道走向，平行于栅极介电层，对访问晶体管沟道有控制作用。

5.根据权利要求1所述的动态随机存储器单元，源极扩展金属位于凹入沟道正上方，占据一部分面积，由介电层和栅极金属包围。

6.根据权利要求5所述的栅极金属，栅极金属与源极、漏极、沟道、扩展式源极金属之间有高介电常数材料隔开，并且也覆盖在沟道侧面，控制完整的凹入式沟道。