[发明专利]填充剂滴下装置有效
申请号: | 201810939735.9 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN108993830B | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 屈丽桃;赵利豪;吴解书;田彪;金韬;邹清华;窦义坤 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | B05C5/02 | 分类号: | B05C5/02;B05C11/10 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 填充 滴下 装置 | ||
1.一种填充剂滴下装置,其特征在于,包括:
盛放管,用于盛放填充剂,所述盛放管的一端具有填充剂出口;
具有第一状态和第二状态的磁性件,所述磁性件容纳于所述盛放管的填充剂内;其中,在所述第一状态下,所述磁性件离开所述填充剂出口、并沿所述盛放管的长度方向进行运动直至移动至第一位置,在所述第二状态下,所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口;
能够在通电状态下对所述磁性件提供磁力的第一线圈和第二线圈,所述第一线圈和所述第二线圈均缠绕于所述盛放管的外周面上,且所述第一线圈和所述第二线圈在所述盛放管的长度方向上间隔预设距离,所述第一线圈靠近所述填充剂出口设置;
控制结构,用于控制所述第一线圈和所述第二线圈产生磁场的参数,以使得所述磁性件在所述第一状态和所述第二状态之间切换,其中,所述参数包括:所述第一线圈和所述第二线圈之间的距离、和/或所述第一线圈和所述第二线圈通电与否、和/或所述第一线圈和所述第二线圈的通断电切换时间间隔、和/或所述第一线圈在通电状态下的电流大小、和/或所述第二线圈在通电状态下的电流大小;
所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面为平面,且所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端的端面的面积大于所述填充剂出口的面积,且所述磁性件的至少一端的端部与所述盛放管的内壁之间具有缝隙,且该缝隙小于预设值;
所述磁性件为条形结构,所述磁性件由所述第一位置反向运动直至封堵所述填充剂出口时,所述磁性件的速度为小于或等于预设值。
2.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述参数包括所述第一线圈和所述第二线圈通电与否,具体的,
所述第一线圈断电,所述第二线圈通电,在所述第二线圈产生的磁场的作用下,所述磁性件处于所述第一状态;
所述第一线圈通电,所述第二线圈断电,在所述第一线圈产生的磁场的作用下,所述磁性件处于所述第二状态。
3.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述磁性件为条形结构,所述磁性件用于封堵所述填充剂出口的一端具有第一磁性,所述磁性件的另一端具有与所述第一磁性的磁性相反的第二磁性;
所述第一线圈通电时,所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同;
所述第二线圈通电时,所述第一线圈靠近所述填充剂出口的一端的磁性与所述第一磁性相同。
4.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述第一线圈断电,所述第二线圈通电时,所述磁性件受到的与重力方向相反的磁力大于所述磁性件的重力。
5.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述磁性件为工字形结构,所述磁性件一端的端面面积大于所述磁性件另一端的端面面积。
6.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述磁性件的两端的端部的横截面的形状与所述盛放管的横截面的形状相同。
7.根据权利要求1所述的填充剂滴下装置,其特征在于,还包括:
设置于所述盛放管上的液面高度测量结构,用于测量所述盛放管内的填充剂的液面高度;
充液结构,与所述液面高度测量结构连接,用于在所述液面高度测量结构的测量结果为所述盛放管内的填充剂的液面低于预设高度时、对所述盛放管进行充液。
8.根据权利要求7所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述充液结构包括储液结构,以及连接于所述储液结构与所述盛放管上的充液口之间的连接管。
9.根据权利要求7所述的填充剂滴下装置,其特征在于,所述液面高度测量结构包括设置于所述盛放管内侧壁上的液位传感器。
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