[发明专利]掩模装置及其控制方法有效
申请号: | 201810939837.0 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN108873598B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 马国靖 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G02F1/1337 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 及其 控制 方法 | ||
1.一种掩模装置,其特征在于,所述掩模装置包括:掩模板和控制器,所述掩模板包括多个掩模单元,所述掩模单元包括:透光承载结构,以及位于所述透光承载结构上的遮光液滴,所述透光承载结构具有亲水状态和疏水状态;
所述控制器与每个所述掩模单元均连接,且每个所述掩模单元具有透光状态和遮光状态,所述控制器用于通过控制所述透光承载结构处于所述亲水状态,以控制所述掩模单元处于所述遮光状态,以及通过控制所述透光承载结构处于所述疏水状态,以控制所述掩模单元处于所述透光状态;
所述掩模板还包括:相对设置的透光基底和透光保护层,以及位于所述透光基底和所述透光保护层之间的遮光网格结构,
所述多个掩模单元均位于所述透光基底和所述透光保护层之间,所述遮光网格结构将所述透光基底划分为多个单元格,所述多个掩模单元与所述多个单元格一一对应,且每个掩模单元均位于其对应的单元格内,
所述掩模装置被配置为对形成显示面板的膜层进行掩模,所述掩模单元与所述显示面板中亚像素单元的形状和大小均相同;
所述透光承载结构中靠近所述遮光液滴的一侧凸起,当所述控制器控制透光承载结构处于疏水状态时,所述遮光液滴包括两个遮光子液滴,所述两个遮光子液滴分别位于所述透光承载结构上顶部凸起位置的两侧。
2.根据权利要求1所述的掩模装置,其特征在于,
所述每个掩模单元被所述透光基底、所述透光保护层和所述遮光网格结构密封。
3.根据权利要求1所述的掩模装置,其特征在于,所述掩模装置还包括:与所述控制器连接且位于所述掩模板一侧的紫外灯组件,所述紫外灯组件能够向所述掩模板发射多种偏振方向的紫外偏振光,所述控制器还用于:
在多个掩模阶段中的每个掩模阶段,控制所述紫外灯组件向所述掩模板发射一种偏振方向的紫外偏振光,且所述紫外灯组件在所述多个掩模阶段中发射的紫外偏振光的偏振方向不同。
4.一种掩模控制方法,其特征在于,用于权利要求1至3任一所述的掩模装置中的控制器,所述掩模装置还包括:掩模板,所述掩模板包括多个掩模单元,对每个所述掩模单元,所述掩模单元包括:透光承载结构,以及位于所述透光承载结构上的遮光液滴,所述透光承载结构具有亲水状态和疏水状态,所述控制器与每个所述掩模单元均连接,且每个所述掩模单元具有透光状态和遮光状态,所述方法包括:
通过控制所述透光承载结构处于所述亲水状态,以控制所述掩模单元处于所述遮光状态;
通过控制所述透光承载结构处于所述疏水状态,以控制所述掩模单元处于所述透光状态,所述透光承载结构中靠近所述遮光液滴的一侧凸起,当所述控制器控制透光承载结构处于疏水状态时,所述遮光液滴包括两个遮光子液滴,所述两个遮光子液滴分别位于所述透光承载结构上顶部凸起位置的两侧;
所述掩模板还包括:相对设置的透光基底和透光保护层,以及位于所述透光基底和所述透光保护层之间的遮光网格结构,
所述多个掩模单元均位于所述透光基底和所述透光保护层之间,所述遮光网格结构将所述透光基底划分为多个单元格,所述多个掩模单元与所述多个单元格一一对应,且每个掩模单元均位于其对应的单元格内,
所述掩模装置被配置为对形成显示面板的膜层进行掩模,所述掩模单元与所述显示面板中亚像素单元的形状和大小均相同。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述掩模装置还包括:与所述控制器连接且位于所述掩模板一侧的紫外灯组件,所述紫外灯组件能够向所述掩模板发射多种偏振方向的紫外偏振光,所述方法还包括:
在多个掩模阶段中的每个掩模阶段,控制所述紫外灯组件向所述掩模板发射一种偏振方向的紫外偏振光,且所述紫外灯组件在所述多个掩模阶段中发射的紫外偏振光的偏振方向不同。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,控制所述掩模单元处于透光状态或遮光状态,包括:
在每个所述掩模阶段,控制所述多个掩模单元中的至少一个掩模单元处于透光状态,以形成一组透光区域,并控制所述多个掩模单元中除所述至少一个掩模单元外的其他掩模单元均处于遮光状态,且在任意两个所述掩模阶段中形成的两组透光区域互不交叠。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810939837.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备