[发明专利]断面倾斜角检测装置有效
申请号: | 201810941367.1 | 申请日: | 2018-08-17 |
公开(公告)号: | CN109119355B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 断面 倾斜角 检测 装置 | ||
1.一种断面倾斜角检测装置,其特征在于,包括:
固定平台,用于固定待检测器件;所述待检测器件包括第一材料层以及第二材料层,所述第二材料层与所述第一材料层通过接触面接触,所述第二材料层的断面与所述接触面形成所述第二材料层的断面倾斜角;
信号源,用于向预设方向发送检测光线;所述预设方向穿过所述待检测器件的第一材料层以及第二材料层;
探测器,与所述信号源位于所述待检测器件的两侧,用于在探测点上,探测穿过所述待检测器件后检测光线的光强度值;
控制器,用于根据所述探测器的探测结果,确定所述断面在所述接触面上的投影长度值;并根据所述投影长度值以及所述第二材料层的材料层厚度,确定所述断面倾斜角的角度值。
2.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述控制器用于根据所述探测器的探测结果,确定检测光线的光强度值变化所对应所述探测器的变化距离值,根据所述预设方向与所述接触面的夹角、以及所述变化距离值,确定所述投影长度值。
3.根据权利要求2所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述控制器用于根据所述探测结果,绘制检测光线的光强度值与探测点的变化曲线,根据所述变化曲线,确定所述变化距离值。
4.根据权利要求3所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述控制器用于确定光强度值发生变化时对应的第一探测点、以及光强度值结束变化时对应的第二探测点,并将所述第一探测点与所述第二探测点之间的距离作为所述变化距离值。
5.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述信号源均匀分布在所述固定平台。
6.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述信号源设置在所述固定平台的远离所述待检测器件的一侧;所述固定平台的材料为透光材料。
7.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,还包括步进电机,所述步进电机用于在所述控制器的控制下,带动所述探测器移动至探测点。
8.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述信号源包括紫外线光源。
9.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述检测光线的光线穿透性与所述第二材料层的材料的透射率相关。
10.根据权利要求1所述的断面倾斜角检测装置,其特征在于,所述预设方向与所述接触面垂直。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造