[发明专利]断面倾斜角检测装置有效

专利信息
申请号: 201810941367.1 申请日: 2018-08-17
公开(公告)号: CN109119355B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 陈黎暄 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 断面 倾斜角 检测 装置
【说明书】:

发明提供一种断面倾斜角检测装置,该装置通过发送检测光线并探测穿过待检测器件后检测光线的光强度值,进而得到断面倾斜角在接触面上的投影长度值,最后根据投影长度值以及材料层厚度确定断面倾斜角的角度值;在该过程中,仅需发送检测光线并仅需光强度值的探测以及计算即可得到断面倾斜角的角度值,不需要对器件进行裂片和制样等操作,解决了现有断面倾斜角检测技术需要裂片和制样等操作的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种断面倾斜角检测装置。

背景技术

在TFT-LCD等半导体器件制造工艺中,往往需要采用有机材料层和无机材料层叠加出器件结构的方式,形成半导体器件。在形成某材料层之后,需要对该模型进行蚀刻等处理以得到特定图案,若该模型的断面倾斜角过大,将导致下一薄膜沉积时发生断裂,若过小,又容易导致拖尾较长,导致器件精细度降低;所以各材料层的断面倾斜角需要控制在一个合理范围内。

而控制断面倾斜角的前提是测量得到该断面倾斜角,在断面倾斜角处于合理范围时,不调整工艺条件进行其他器件的制造,在断面倾斜角没有处于合理范围时,调整工艺条件重新制造。

为了测量断面倾斜角,现有工艺是通过对器件进行裂片、制样等处理后得到样本,将样本送入显微镜得到截面图,然后在截面图中进行断面倾斜角的标定测量。该方式需要裂片和制样等繁杂的操作,并且裂片和制样也将导致较大的误差。

即现有断面倾斜角检测技术需要裂片和制样等操作,将导致测量操作繁杂等技术问题。

发明内容

本发明提供一种断面倾斜角检测装置,以解决现有断面倾斜角检测技术需要裂片和制样操作的技术问题。

为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:

本发明实施例提供一种断面倾斜角检测装置,其包括:

固定平台,用于固定待检测器件;所述待检测器件包括第一材料层以及第二材料层,所述第二材料层与所述第一材料层通过接触面接触,所述第二材料层的断面与所述接触面形成所述第二材料层的断面倾斜角;

信号源,用于向预设方向发送检测光线;所述预设方向穿过所述待检测器件的第一材料层以及第二材料层;

探测器,用于在探测点上,探测穿过所述待检测器件后检测光线的光强度值;

控制器,用于根据所述探测器的探测结果,确定所述断面在所述接触面上的投影长度值;并根据所述投影长度值以及所述第二材料层的材料层厚度,确定所述断面倾斜角的角度值。

根据本发明一优选实施例,所述控制器用于根据所述探测结果,确定检测光线的光强度值变化所对应的变化距离值,根据所述预设方向与所述接触面的夹角、以及所述变化距离值,确定所述投影长度值。

根据本发明一优选实施例,所述控制器用于根据所述探测结果,绘制检测光线的光强度值与探测点的变化曲线,根据所述变化曲线,确定所述变化距离值。

根据本发明一优选实施例,所述控制器用于确定光强度值发生变化时对应的第一探测点、以及光强度值结束变化时对应的第二探测点,并将所述第一探测点与所述第二探测点之间的距离作为所述变化距离值。

根据本发明一优选实施例,所述信号源均匀分布在所述固定平台。

根据本发明一优选实施例,所述信号源设置在所述固定平台的远离所述待检测器件的一侧;所述固定平台的材料为透光材料。

根据本发明一优选实施例,还包括步进电机,所述步进电机用于在所述控制器的控制下,带动所述探测器移动至探测点。

根据本发明一优选实施例,所述信号源包括紫外线光源。

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