[发明专利]薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

形成有源层；

形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；

对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开；

对所述绝缘预备区进行氧化处理的步骤包括：

形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出所述绝缘预备区的表面；

通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块；

通入含氧工艺气体的步骤中，对所述含氧工艺气体进行等离子化；

在形成有源层的步骤之前，所述制造方法还包括：

形成栅极；

形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括硅的氮化物形成的第一层栅极绝缘层和硅的氧化物形成的第二层栅极绝缘层，所述第一层栅极绝缘层与所述栅极接触，所述第二层栅极绝缘层与所述有源层接触；

在形成有源层的步骤中，采用磁控溅射工艺形成所述有源层；形成位于底层的有源层时通入磁控溅射工艺的工艺腔室的氧气含量大于形成位于顶层的有源层时通入所述工艺腔室的氧气含量。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，磁控溅射的靶材包括由金属氧化物制成的有源层靶材，溅射用工艺气体包括惰性气体和氧气。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，随着形成有源层的步骤的进行，执行磁控溅射工艺的工艺腔室中的氧气通量逐渐减少。

4.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层和源漏层，所述源漏层设置在所述有源层厚度方向的一侧，所述源漏层包括一体成型的源极、漏极和绝缘块，所述绝缘块位于所述源极和所述漏极之间，所述绝缘块由形成所述源极和所述漏极的材料进行氧化而制成；

由形成所述源极和所述漏极的材料进行氧化而制成所述绝缘块包括：

形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出绝缘预备区的表面；

通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块；

通入含氧工艺气体的步骤中，对所述含氧工艺气体进行等离子化；

所述薄膜晶体管还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括硅的氮化物形成的第一层栅极绝缘层和硅的氧化物形成的第二层栅极绝缘层，所述第一层栅极绝缘层与所述栅极接触，所述第二层栅极绝缘层与所述有源层接触；

在形成有源层的步骤中，采用磁控溅射工艺形成所述有源层；形成位于底层的有源层时通入磁控溅射工艺的工艺腔室的氧气含量大于形成位于顶层的有源层时通入所述工艺腔室的氧气含量。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏层。

6.一种显示基板，所述显示基板包括薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求5所述的薄膜晶体管。

7.一种显示面板，所述显示面板包括显示基板，其特征在于，所述显示基板为权利要求6所述显示基板。