[发明专利]薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管、显示基板及显示面板

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，制造方法包括：形成有源层；形成源漏金属材料层，源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的绝缘预备区；对绝缘预备区进行氧化处理，以使得绝缘预备区形成为绝缘块、源极区形成为源极、漏极区形成为漏极。本发明还提供采用薄膜晶体管的制造方法制造的薄膜晶体管、包括薄膜晶体管的显示基板以及包括显示基板的显示面板，薄膜晶体管的制造方法可以避免形成源极和漏极过程中对有源层的污染和损害，使得所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的器件稳定性。

技术领域

本发明涉及氧化物薄膜晶体管制造技术领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管的制造方法、采用该方法制造的薄膜晶体管、包括所述薄膜晶体管的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板。

背景技术

在现有技术中，一般在金属氧化物薄膜晶体管形成有源层后，采用背沟道刻蚀(BCE)工艺或者刻蚀阻挡工艺制造源漏电极。

对于金属氧化物薄膜晶体管而言，为了确保该金属氧化物薄膜晶体管的性能，应当降低有源层与源极、有源层与漏极之间的接触电阻，使得有源层与源极、有源层与漏极之间具有良好的欧姆接触。

因此，如何设计一种新的薄膜晶体管制造方法，以使得利用该方法制造的所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的性能成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法、采用该方法制造的薄膜晶体管、包括所述薄膜晶体管的显示基板以及包括所述显示基板的显示面板，所述薄膜晶体管的制造方法制造的所述薄膜晶体管的源极、漏极与所述有源层形成良好的欧姆接触，进而提升所述薄膜晶体管的器件稳定性。

为了解决上述问题，作为本发明第一个方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，其中，所述制造方法包括：

形成有源层；

形成源漏金属材料层，所述源漏金属材料层包括源极区、漏极区和位于所述源极区和所述漏极区之间的绝缘预备区；

对所述绝缘预备区进行氧化处理，以使得所述绝缘预备区形成为绝缘块、所述源极区形成为源极、所述漏极区形成为漏极，所述绝缘块将所述源极和所述漏极绝缘间隔开。

优选地，对所述绝缘预备区进行氧化处理的步骤包括：

形成掩膜图形，所述掩膜图形包括源极保护块、漏极保护块和镂空区，所述源极保护块设置在所述源极区上方，所述漏极保护块设置在所述漏极区上方，所述镂空区设置在所述源极保护块和所述漏极保护块之间，以露出所述绝缘预备区的表面；

通入含氧工艺气体，利用所述含氧工艺气体通过所述镂空区对所述绝缘预备区进行氧化，以使得所述绝缘预备区被氧化形成所述绝缘块。

优选地，通入含氧工艺气体的步骤中，对所述含氧工艺气体进行等离子化。

优选地，在形成有源层的步骤中，采用磁控溅射工艺形成所述有源层，其中，磁控溅射的靶材包括由氧化铟、氧化镓、氧化锌烧结而成的有源层靶材，溅射用工艺气体包括惰性气体和氧气。

优选地，随着形成有源层的步骤的进行，执行磁控溅射工艺的工艺腔室中的氧气通量逐渐减少。

作为本发明的第二个方面，提供一种薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管由本发明所提供的上述制造方法制成，所述薄膜晶体管包括有源层和源漏层，所述源漏层设置在所述有源层厚度方向的一侧，所述源漏层包括一体成型的源极、漏极和绝缘块，所述源极和所述漏极之间形成有间隔，所述绝缘块设置在所述间隔中，以将所述源极和所述漏极绝缘间隔，所述绝缘块由形成所述源极和所述漏极的材料进行氧化获得的材料制成。

优选地，所述薄膜晶体管还包括栅极和栅极绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述有源层和所述栅极之间。