[发明专利]管状反应器的补气装置

说明书

本发明给出了一种管状反应器的补气装置；包括至少一根补气管，所述补气管后端通入镀膜所需的工艺气体，补气管前端贯穿炉尾盖板伸入LPCVD管炉内，补气管前端面开有供工艺气体排出的出气孔。通过补气管向LPCVD管炉内输送工艺气体，补充主进气管喷出的工艺气体的量，改善某区域内LPCVD镀膜的片间膜层厚度均匀性，使用本管状反应器的补气装置可以增加炉管长度，以增加恒温区长度，达到增加产能的目的。

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池制造中的镀膜技术，特别是涉及到改善热壁LPCVD管炉的片间均匀度的补气装置。

背景技术

在太阳能电池片生产过程中，需要在表面镀膜，例如多晶硅、氮化硅等，需要使用LPCVD工艺进行镀膜。为提高产能，将单管LPCVD管炉(管状反应器)的装载量由几百片提高到1200片，导致炉管的长度、工艺恒温区的长度以及工艺气体分布要求大大提升，特别是工艺恒温区的中、后区对片间均匀性技术要求大大提升。

现有炉管只在炉尾的炉口盖板上均匀圆周分布有多个主进气管，主进气管向LPCVD管炉内喷射镀膜所需的工艺气体，但是炉管加长后，仅靠主进气管已无法满足提高产能后的LPCVD中后区的镀膜厚度均匀性要求，导致片间均匀度差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单、补气效果好的管状反应器的补气装置。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种管状反应器的补气装置；

包括至少一根补气管，所述补气管后端通入镀膜所需的工艺气体，补气管前端贯穿炉尾盖板伸入LPCVD管炉内，补气管前端面开有供工艺气体排出的出气孔。

采用这样的结构后，通过补气管向LPCVD管炉内输送工艺气体，补充主进气管喷出的工艺气体的量，改善某区域内LPCVD镀膜的片间膜层厚度均匀性，使用本管状反应器的补气装置可以增加炉管长度，以增加恒温区长度，达到增加产能的目的。

为了更清楚的理解本发明的技术内容，以下将本管状反应器的补气装置简称为本补气装置。

本补气装置包括若干补气管，所有补气管伸入LPCVD管炉内距离都不同；采用这样的结构后，若干补气管可以针对多个区域输送工艺气体，改善某区域内LPCVD镀膜的片间膜层厚度均匀性。

本补气装置包括四根补气管，分别是第一补气管、第二补气管、第三补气管和第四补气管，第一补气管前端为第一出气孔，第一出气孔距离炉尾盖板的长度等于LPCVD管炉内孔轴线长度的60％；第二补气管前端为第二出气孔，第二出气孔距离炉尾盖板的长度等于LPCVD管炉内孔轴线长度的50％；第三补气管前端为第三出气孔，第三出气孔距离炉尾盖板的长度等于LPCVD管炉内孔轴线长度的40％；第四补气管前端为第四出气孔，第四出气孔距离炉尾盖板的长度等于LPCVD管炉内孔轴线长度的30％。

通过实践中的实验，得到的最优的补气管的数量及布置位置条件，进一步优化了LPCVD管炉的镀膜效果。

本补气装置的四根补气管后端分别与主管连通，主管端部与通入镀膜所需的工艺气体，通过主管向四根补气管供气；采用这样的结构后，主管方便连通气源及四根补气管。

本补气装置的四根补气管后部分别设有流量控制阀；采用这样的结构后，流量控制阀可以实现各路补气管既可以单独使用也可以一起使用，并且可以灵活控制每路补气管的通气量。

附图说明

图1是本补气装置实施例的结构后视图。

图2是图1沿A-A向剖视图。

具体实施方式

如图1和2所示

本补气装置包括四根补气管、主管3和四个流量控制阀2。