[发明专利]顶发射型量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种顶发射型量子点发光二极管，包括顶电极，其特征在于，所述顶电极包括具有导电和透光功能的第一亚顶电极，以及层叠叠设于所述第一亚顶电极表面具有电接触功能的第二亚顶电极；所述第一亚顶电极、第二亚顶电极的层叠顺序为顺着光射出的方向层叠叠设。

2.如权利要求1所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述第一亚顶电极由p型半导体和n型半导体构成。

3.如权利要求2所述的顶发射量子点发光二极管，包括量子点发光层，其特征在于，所述第一亚顶电极为复合亚电极层，包括层叠设置的p型半导体层和n型半导体层，若所述顶电极为阴极，所述n型半导体层设置于p型半导体层与所述量子点发光层之间；若所述顶电极为阳极，所述p型半导体层设置于n型半导体层与所述量子点发光层之间；或者

所述第一亚顶电极为由p型半导体和n型半导体相互混合形成的体异质结层。

4.如权利要求2或3所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述p型半导体的费米能级大于所述n型半导体的费米能级。

5.如权利要求2所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述p型半导体为并五苯、酞菁锌、酞菁铜、酞化菁、噻吩钠、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,4′-二胺、2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨]-9,9-螺二[9H-芴]、4,4'-环己基二(4-甲基苯基)苯胺、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺中的任一种；和/或所述n型半导体为富勒烯、HAT-CN、三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒、氧化铷中的任一种。

6.如权利要求1所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述第二亚顶电极为金、银、铜、铝中的任一种。

7.如权利要求1所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述顶电极还包括电极修饰层，所述电极修饰层层叠于所述顶电极和底电极之间。

8.如权利要求7所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，若所述顶电极为阴极，则所述电极修饰层为功函数修饰层或电子掺杂n型半导体层；若所述顶电极为阳极，则所述电极修饰层为空穴掺杂p型半导体层。

9.如权利要求7所述的顶发射型量子点发光二极管，其特征在于，所述功函数修饰层氟化锂层、氟化钠层、氟化铯层、八羟基喹啉锂层、聚乙烯亚胺层、聚乙氧基乙烯亚胺层；

或所述电子掺杂n型半导体层中n型半导体为浴铜灵、红菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,6-双(3,5-二(3-吡啶)基苯基)-2-甲基嘧啶、八羟基喹啉铝、富勒烯、1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯中的任一种，所述电子掺杂n型半导体层中掺杂物质为锂、铯、镁、碳酸锂、氮化锂、LiNH₂、Liq、Cs₂CO₃、Cs₃PO₄、CsN₃、Rb₂CO₃、KBH₄中的任一种。