[发明专利]顶发射型量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明涉及光电器件技术领域，具体提供一种顶发射型量子点发光二极管及其制备方法。所述顶发射型量子点发光二极管，包括顶电极，所述顶电极包括具有导电和透光功能的第一亚顶电极，以及层叠叠设于所述第一亚顶电极表面具有电接触功能的第二亚顶电极；所述第一亚顶电极、第二亚顶电极的层叠顺序为顺着光射出的方向层叠。本发明的顶发射型量子点发光二极管将顶电极分成两个亚层结构，使得顶电极的透光率达到75％以上，同时兼具良好的导电性能，因此获得的顶发射型量子点发光二极管特别适用于平板显示、照明领域。

技术领域

本发明属于光电器件技术领域，尤其涉及一种顶发射型量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

由于量子点具有发光波长可调、色纯度好、荧光效率高、稳定性强等卓越的光电特性，使得量子点电致发光二极管(QLED)得到广泛的关注和研究，并成为新型显示技术的有力竞争者之一。

作为一种主动发光器件，量子点发光二极管若要实现屏幕化，则需要复杂的驱动电路来控制每一个发光单元，但是对于底发射型量子点发光二极管显示屏而言，要求的分辨率越高，开口率越小，越不利于出光，也由此导致功耗增加。为实现高分辨率、低功耗的量子点发光二极管显示屏，顶发射型量子点发光二极管成为主要研究的方向。

顶发射量子点发光二极管，顾名思义，量子点发光二极管的光从顶部电极射出，而底部电极与驱动电路相连，并起到反射光的作用，这就要求顶部电极兼具导电性和透明性两大要求。目前常用的顶部透明电极为金属薄膜或透明金属氧化物(例如：ITO、IZO)。众所周知，金属薄膜越薄，透光性越好，然而导电性越差；相反则导电性增强而透光性降低。而透明金属氧化物电极中，成熟的制备工艺是磁控溅射，该工艺会对下层薄膜造成破坏。因此，对于顶发射量子点发光二极管，目前尚无既具有卓越的透光性，又具有优良的导电性，可以为发光层提供足够电荷的理想顶部电极。

发明内容

本发明的目的在于提供一种顶发射型量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有顶发射型量子点发光二极管的顶电极存在无法同时满足透光性和导电性兼优等问题。

本发明是这样实现的：

一种顶发射型量子点发光二极管，包括顶电极，所述顶电极包括具有导电和透光功能的第一亚顶电极，以及层叠叠设于所述第一亚顶电极表面具有电接触功能的第二亚顶电极；所述第一亚顶电极、第二亚顶电极的层叠顺序为顺着光射出的方向层叠叠设。

对应地，一种顶发射型量子点发光二极管的制备方法，包括顶电极的沉积步骤，所述沉积步骤至少如下：

在量子点发光层上沉积第一亚顶电极，并在所述第一亚顶电极上沉积第二亚顶电极层。

本发明的有益效果如下：

相对于现有技术，本发明提供的顶发射型量子点发光二极管，由于顶电极采用第一亚顶电极和第二亚顶电极的结构，其中第一亚顶电极具有良好的导电性能优异的透光性，而第二亚顶电极具有良好的电接触，同时也具有良好的透光性，还能够反射光子形成微腔，使得顶电极的透光率达到75％以上，同时兼具良好的导电性能。

本发明提供的顶发射型量子点发光二极管的制备方法，量子点发光层上沉积第一亚顶电极、第二亚顶电极，从而获得同时兼具良好透光率和导电性能的顶发射型量子点发光二极管，工艺简单易控，成本低，容易实现产业化生产。

附图说明

为了更清楚地说明本发明施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例提供的正型顶发射型量子点发光二极管结构示意图；

图2是本发明另一实施例提供的正型顶发射型量子点发光二极管结构示意图；