[发明专利]微波子阵三维堆叠的焊球塌陷控制方法、设备和存储介质在审
| 申请号： | 201810953348.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109121319A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 王莎鸥;王飞;方哲;吕志军 | 申请（专利权）人： | 北京无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H05K3/34 | 分类号： | H05K3/34;H05K3/36 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉;金跃 |
| 地址： | 100851*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊球 基板 子阵 上层电路板 下层电路板 焊接参数 三维堆叠 预设 微波 焊接装置 回流焊接 层间 塌陷 预处理 电路板 不规则基板 存储介质 高度控制 高度一致 高频微波 信号传输 有效控制 组合基板 叠层 叠放 堆叠 铜球 申请 坍塌 | ||
1.一种微波子阵三维堆叠的焊球塌陷控制方法，其特征在于，该方法的步骤包括：
基于第一预设焊接参数，对至于焊接装置上的下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板；
基于第二预设焊接参数，对至于焊接装置上的上层电路板进行预处理，获得上层电路板基板；
将上层电路板基板叠放在下层电路板基板上，并基于第三预设焊接参数，对堆叠的电路板进行回流焊接，获得用于微波子阵的组合基板结构。
2.根据权利要求1所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第一预设焊接参数，对至于焊接装置上的下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板的步骤包括：
将焊接装置上针管加热系统的工作温度调整为为30℃±5℃
将焊剂针管高度调整为0.05mm-0.1mm；
将焊剂针管调整至固定在焊接装置上的下层电路板的点胶位置，以点胶时间为2ms-8ms，点胶压力为0.2Mpa-0.6Mpa为条件，对下层电路板添加助焊剂。
3.根据权利要求2所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第一预设焊接参数，对至于焊接装置上的下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板的步骤包括：
将焊膏针管的高度调整为0.05mm-0.8mm；
将焊膏针管调整至固定在焊接装置上的下层电路板的点胶位置，以点胶时间为5ms-10ms，点胶压力为0.2Mpa-0.6Mpa为条件，对下层电路板添加焊膏。
4.根据权利要求3所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第一预设焊接参数，对至于焊接装置上的下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板的步骤还包括：
将焊球分离槽的高度调整为0.2mm-0.5mm；
将焊球分离槽调整至固定在焊接装置上的下层电路板的预定位置，对下层电路板进行植球；
将铜球分离槽的高度调整为0.1mm-0.4mm；
将铜球分离槽调整至固定在焊接装置上的下层电路板的预定位置，对下层电路板进行植球。
5.根据权利要求4所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第一预设焊接参数，对至于焊接装置上的下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板的步骤还包括：
将下层电路板至于回流炉中，以预热温度为100℃-160℃，预热时间为120ms-150ms，恒温温度为240℃-260℃，恒温时间为30ms-90ms，降温温度为80℃-40℃为回流焊接条件，对下层电路板进行回流焊接，获得下层电路板基板。
6.根据权利要求1所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第二预设焊接参数，对至于焊接装置上的上层电路板进行预处理，获得上层电路板基板的步骤包括：
将焊接装置上针管加热系统的工作温度调整为为30℃±5℃
将焊剂针管高度调整为0.05mm-0.1mm；
将焊剂针管调整至固定在焊接装置上的下层电路板的点胶位置，以点胶时间为2ms-8ms，点胶压力为0.2Mpa-0.6Mpa为条件，对上层电路板添加助焊剂。
7.根据权利要求6所述的焊球塌陷控制方法，其特征在于，所述基于第二预设焊接参数，对至于焊接装置上的上层电路板进行预处理，获得上层电路板基板的步骤还包括：
将焊膏针管的高度调整为0.05mm-0.8mm；
将焊膏针管调整至固定在焊接装置上的下层电路板的点胶位置，以点胶时间为5ms-10ms，点胶压力为0.2Mpa-0.6Mpa为条件，对上层电路板添加焊膏。
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