[发明专利]使用状态预测方法的固态储存装置

权利要求书

1.一种固态储存装置，其特征在于，包括：

一非挥发性记忆体，包括一预设区域；以及

一控制器，连接至该非挥发性记忆体，该控制器包括一方程式储存电路，其中该方程式储存电路中至少储存一第一失败模式的状态预测方程式与一第二失败模式的状态预测方程式；

其中，当该控制器确认该预设区域由该第一失败模式改变为该第二失败模式时，该控制器以该预设区域现在的状态参数以及该第二失败模式的状态预测方程式来预测该预设区域。

2.如权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，该预设区域为该非挥发性记忆体的一区块、多个区块或者一页。

3.如权利要求1所述的固态储存装置，其特征在于，该控制器根据该预设区域一先前的状态参数以及该现在的状态参数来判断该预设区域是否由该第一失败模式改变为该第二失败模式。

4.如权利要求3所述的固态储存装置，其特征在于，该方程式储存电路更储存一失败模式预测方程式；该控制器将该先前的状态参数以及该现在的状态参数输入该失败模式预测方程式；以及，当该失败模式预测方程式输出该第二失败模式时，该控制器确认该预设区域由该第一失败模式改变为该第二失败模式。

5.一种如权利要求1所述的固态储存装置的状态预测方法，其特征在于，包括下列步骤：

每经过一预定时间后，搜集并储存该预设区域的状态参数作为该现在的状态参数；

判断该预设区域是否由该第一失败模式改变为该第二失败模式；以及

当确认该预设区域由该第一失败模式改变为该第二失败模式时，利用该预设区域现在的状态参数以及该第二失败模式的状态预测方程式来预测该预设区域。

6.如权利要求5所述的状态预测方法，其特征在于，更包括下列步骤：

将一先前的状态参数以及该现在的状态参数输入一失败模式预测方程式；以及

当该失败模式预测方程式输出该第二失败模式时，确认该预设区域由该第一失败模式改变为该第二失败模式。

7.如权利要求5所述的状态预测方法，其特征在于，更包括下列步骤：

搜集另一区域的状态参数作为该另一区域的现在的状态参数；以及

以该另一区域的现在的状态参数输入该第二失败模式的状态预测方程式来预测该另一区域。