[发明专利]使用状态预测方法的固态储存装置

说明书

本发明公开了一种固态储存装置，包括：一非挥发性记忆体，包括一特定区域；以及一控制器，连接至该非挥发性记忆体，该控制器包括一方程式储存电路，其中该方程式储存电路中至少储存一第一失败模式的状态预测方程式与一第二失败模式的状态预测方程式；其中，当该控制器确认该特定区域由该第一失败模式改变为该第二失败模式时，该控制器以该特定区域现在的状态参数以及该第二失败模式的状态预测方程式来预测该特定区域。

技术领域

本发明是有关于一种固态储存装置，且特别是有关于一种使用状态预测方法的固态储存装置。

背景技术

众所周知，固态储存装置(Solid State Storage Device，简称SSD)已经非常广泛的应用于各种电子产品，例如SD卡、固态硬盘等等。固态储存装置中包括一非挥发性记忆体(non-volatile memory)。当数据写入非挥发性记忆体后，一旦固态储存装置的电源被关闭，数据仍可保存在非挥发性记忆体中。

美国专利US 9,922,706揭露一种使用状态预测方法的固态储存装置。其利用预测方程式(prediction function)来预估固态储存装置在未来时间点的状态，并且预测适当的解码流程或者提供适当的读取电压。

请参照图1，其所绘示为现有固态储存装置示意图。固态储存装置10经由一外部总线12连接至主机(host)14。其中，外部总线12可为USB总线、SATA总线、PCIe总线、M.2总线或者U.2总线等等。

固态储存装置10中包括一控制器101与一非挥发性记忆体105。其中，控制器101经由一内部总线107连接至非挥发性记忆体105，用以根据主机14所发出的命令将接收的写入数据存入非挥发性记忆体105，或者由非挥发性记忆体105中取得读取数据并传递至主机14。

再者，控制器101中更包括一错误校正码电路(ECC电路)104与一方程式储存电路(function storage circuit)106。ECC电路104可用来更正读取数据中的错误位(errorbit)，并且于更正完成后将正确的读取数据传递至主机14。另外，方程式储存电路106中储存多个预测方程式(prediction function)。

一般来说，固态储存装置10出厂并经过多次编程与抹除之后，会造成非挥发性记忆体105中记忆胞的临限电压(threshold)偏移，并导致读取失败。

非挥发性记忆体105有许多失败模式(failure mode)会造成读取失败，例如重复抹写(cycling)、高温/常温烘烤(high/Room temperature baking)、读取干扰(readdisturb)、跨温读写(cross-temperature read/write)、编程干扰(program disturb)、数据维持(data retention)等失败模式。当读取失败发生时，控制器101无法顺利获得读取数据，并进行读取重试(read retry)。

请参照图2，其所绘示为现有固态储存装置的读取重试流程示意图。于读取周期时，控制器101先进行解码流程(decoding process)A，其为利用预设电压组(defaultvoltage set)来进行硬解码(hard decoding)。于进行解码流程A时，控制器101提供预设电压组至非挥发记忆体105，并利用ECC电路104中的硬解码(hard decoding)来校正读取数据。

当读取数据中的错误位可以被更正时，代表通过(pass)解码流程A而解码成功。因此，控制器101即可将正确的读取数据传递至主机14。反之，当读取数据中的错误位无法被更正时，将无法获得正确的读取数据，代表解码流程A失败(fail)，因此控制器101进入读取重试(read retry)流程。