[发明专利]温度传感器及制备方法

权利要求书

1.一种温度传感器，其特征在于，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；

所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。

2.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。

3.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。

4.根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。

5.根据权利要求4所述的温度传感器，其特征在于，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。

6.一种温度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

清洗可降解柔性薄膜基材；

在所述的可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；

将所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，得到所述的温度传感器。

7.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的热电偶电极的数量为至少两个，所述的热电偶电极单独使用或彼此串联或并联使用。

8.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材的材质为聚乙交酯薄膜、聚己内酯薄膜、聚碳酸亚丙酯薄膜、聚乳酸薄膜、淀粉填充聚乙烯醇薄膜、淀粉填充聚乙烯薄膜、淀粉填充聚丙烯薄膜、淀粉填充聚氯乙烯薄膜或淀粉填充聚苯乙烯薄膜。

9.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的可降解柔性薄膜基材采用电晕放电处理、辉光放电处理、低温火焰处理、紫外处理、皂化处理中的任意一种或几种方法相结合进行处理。

10.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的在可降解柔性薄膜基材上设置热电偶电极的第一金属电极本体和第二金属电极本体采用原子层沉积法或射频磁控溅射法制备。

11.根据权利要求6所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的第一金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜，所述的第二金属电极本体表面设置有厚度为1μm-5μm的保护膜。

12.根据权利要求11所述的温度传感器的制备方法，其特征在于，所述的保护膜的材质为碳化硅、氮化硅或二氧化硅。