[发明专利]辉光放电系统、其离子引出构造及辉光放电质谱装置在审
申请号: | 201810955915.6 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN109192650A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 高桥孝广 | 申请(专利权)人: | 辉光科技有限公司 |
主分类号: | H01J49/04 | 分类号: | H01J49/04;H01J49/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辉光放电质谱 辉光放电 离子 放电区域 开口部 提取板 放电单元 间隙配置 离子束流 驱动条件 引出电极 装置结构 突出部 外周缘 引出口 配置 分析 | ||
本发明提供辉光放电系统、其离子引出构造及辉光放电质谱装置。提供一种不大幅地改变以往的辉光放电系统的装置结构、驱动条件,就使所引出的离子束流强增大,并且分析精度更高的辉光放电质谱装置。利用第1板(26)和第2板(28)形成提取板(25),上述第1板(26)配置在放电区域(27)侧,并在开口部(25a)具有朝向放电区域(27)突出的突出部(26a),上述第2板(28)在外周缘处连接于该第1板(26),并且在开口部(25a)侧与该第1板(26)隔着间隙配置,上述提取板(25)配置于放电单元(20)的离子引出口,作为引出电极发挥作用。
技术领域
本发明涉及辉光放电系统、该辉光放电系统的离子引出构造以及使用了该辉光放电系统的辉光放电质谱装置。
背景技术
作为金属、半导体、绝缘物等各种固体试样的分析装置,已知一种辉光放电质谱装置(GDMS)。该分析装置是利用辉光放电对固体试样表面进行溅射,并在质谱仪中对离子化后的该固体试样的构成原子进行测量的装置。
如专利文献1所公开的那样,在所述分析装置中具有辉光放电系统,以使固体试样的表面暴露在放电单元内的方式配置固体试样,向该放电单元内导入惰性气体,产生辉光放电从而对所述固体试样进行溅射,使放出的原子在放电单元内离子化并将其作为离子束自设于该放电单元的开口部引出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-220360号公报
发明内容
在辉光放电质谱装置中,为了提高分析精度,希望增大自辉光放电系统引出的离子束的流强(离子量)。
本发明的要解决的问题在于,提供一种不大幅地改变以往的辉光放电系统的装置结构、驱动条件,就能增大所引出的离子束流强,并且分析精度更高的辉光放电质谱装置。
本发明的第一技术方案涉及一种辉光放电系统的离子引出构造,该辉光放电系统用在辉光放电质谱装置中,该辉光放电系统具有导电性的单元主体和导电性的提取板,所述单元主体形成放电区域,所述提取板至少隔着绝缘构件与所述单元主体连接,并且具有离子引出口,该辉光放电系统的离子引出构造的特征在于,
所述提取板包括在外周缘处彼此连接在一起的第1板和第2板,
所述第1板配置在所述放电区域侧,具有自所述离子引出口朝向所述放电区域呈筒状突出的突出部,
所述第1板和所述第2板中的任一者在所述外周缘处朝向另一者突出,在除所述外周缘以外的区域,所述第1板和所述第2板彼此隔着间隙地配置。
本发明的辉光放电系统的离子引出构造含有如下结构来作为优选的形态,即,在所述单元主体与所述绝缘构件之间依次配置有具有狭缝的导电性的狭缝板以及具有开口部的导电性的端板,
所述端板是在具有所述开口部的平板上设有突出部的形状,该突出部在自所述开口部向外周侧隔开了预定的距离的位置处朝向外部呈筒状突出。
本发明的第二技术方案涉及一种辉光放电系统,其特征在于,该辉光放电系统具有上述本发明的辉光放电系统的离子引出构造。
本发明的第三技术方案涉及一种辉光放电质谱装置,该辉光放电质谱装置包括辉光放电系统和质谱仪,该辉光放电系统用于通过辉光放电而自固体试样引出该固体试样的构成原子的离子束,该质谱仪用于进行所述离子束中含有的离子的质谱分析,该辉光放电质谱装置的特征在于,
所述辉光放电系统是上述本发明的辉光放电系统。
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