[发明专利]形成开口于下方层中的方法

权利要求书

1.一种形成开口于下方层中的方法，包括：

形成一光致抗蚀剂层于一基板上的一下方层上；

曝光该光致抗蚀剂层；

以一显影溶液显影曝光的该光致抗蚀剂层，以形成多个光致抗蚀剂图案，且所述多个光致抗蚀剂图案覆盖欲形成多个开口的该下方层的多个区域；

形成一液体层于该光致抗蚀剂图案上；

将该液体层转变为固体型态的一有机层；

移除高于所述多个光致抗蚀剂图案的该有机层的一部分；

移除所述多个光致抗蚀剂图案，并保留该有机层的其余部分，以部分地露出该下方层的多个部分；

采用该有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于该下方层中；

移除该有机层的其余部分；以及

在移除该有机层的其余部分之后，形成一金属层覆盖该下方层的顶表面并填充该下方层的所述多个开口。

2.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，其中该有机层为负型光致抗蚀剂层，其组成为金属化光致抗蚀剂材料。

3.如权利要求2所述的形成开口于下方层中的方法，其中该金属化光致抗蚀剂材料包括至少一金属化材料、光酸产生剂、碱淬息剂、发色团、与溶剂。

4.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，其中该液体层为干显影冲洗材料。

5.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，还包括施加该显影溶液以维持该光致抗蚀剂图案湿润，直到形成该液体层。

6.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，还包括在施加该显影溶液之后与施加该液体层之前，进行冲洗与干燥工艺以完全移除该显影溶液。

7.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，还包括施加极紫外线以曝光该光致抗蚀剂层。

8.如权利要求1所述的形成开口于下方层中的方法，其中所述多个光致抗蚀剂图案的间距介于30nm至70nm之间、宽度介于15nm至35nm之间、且厚度介于15nm至30nm之间。

9.一种形成开口于下方层中的方法，包括：

形成一下方层于一基板上；

形成一负型光致抗蚀剂层于该下方层上；

选择性曝光该光致抗蚀剂层；

显影选择性曝光的该光致抗蚀剂层，以形成一光致抗蚀剂图案；

形成一有机层于该光致抗蚀剂图案上；

移除该光致抗蚀剂图案上的该有机层的一部分；

蚀刻该光致抗蚀剂图案以形成一图案于该有机层中，并露出该下方层的一部分；

将该有机层中的该图案转移至该下方层中，使该下方层具有多个开口；

移除该有机层的其余部分；以及

在移除该有机层的其余部分之后，形成一金属层覆盖该下方层的顶表面并填充该下方层的所述多个开口。

10.如权利要求9所述的形成开口于下方层中的方法，其中该有机层由一干显影冲洗材料所形成。

11.如权利要求10所述的形成开口于下方层中的方法，其中该干显影冲洗材料包括一聚合物，且该聚合物的结构单元为式(1):

其中R1与R2为C_1-8有机基团。

12.如权利要求10所述的形成开口于下方层中的方法，其中该干显影冲洗材料的液体施加至该光致抗蚀剂图案，且在施加该干显影冲洗材料至该光致抗蚀剂图案之后以80℃至120℃的温度烘干该干显影冲洗材料，使该干显影冲洗材料转变成固体。

13.如权利要求10所述的形成开口于下方层中的方法，其中该光致抗蚀剂与该干显影冲洗材料具有不同的光学特性。