[发明专利]形成开口于下方层中的方法

说明书

形成开口于下方层中的方法包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成开口的下方层的区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；在形成液体层后，进行烘烤工艺以将液体层转变为固体型态的有机层；进行回蚀刻工艺以移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，以经由有机层的其余部分露出下方层的部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成所述多个开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构的形成方法，具体涉及曝光显影的步骤。

背景技术

在半导体结构中，接点可形成于介电层中的开口或通孔中，其电性连接介电层之上和/或之下的接点，以实施不同层(如集成电路中的金属层)之间的内部连接。当集成电路中的关键尺寸越来越小，接点尺寸也变得更小。当正型显影剂用于显影正型光致抗蚀剂以形成接点的图案时，可能产生光掩模缺陷与炫光效应。

发明内容

本发明一实施例提供的形成开口于下方层中的方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板上的下方层上；曝光光致抗蚀剂层；以显影溶液显影曝光的光致抗蚀剂层，以形成多个光致抗蚀剂图案，且光致抗蚀剂图案覆盖欲形成多个开口的下方层的多个区域；形成液体层于光致抗蚀剂图案上；将液体层转变为固体型态的有机层；移除高于光致抗蚀剂图案的有机层的一部分；移除光致抗蚀剂图案，并保留有机层的其余部分，以部分地露出下方层的多个部分；采用有机层的其余部分作为蚀刻掩模，形成开口于下方层中；以及移除有机层的其余部分。

附图说明

图1为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图2A为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图2B为图2A所示的工艺步骤中所用的一种光掩模的附图。

图3A为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图3B为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图4为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图5为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图6A为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图6B为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图7为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图8为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图9为本发明一些实施例中，形成接点于下方层中的方法其工艺步骤。

图10为本发明一些实施例中，形成接点于下方层中的方法其工艺步骤。

图11为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图12为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图13为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图14为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图15A为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。

图15B为本发明一些实施例中，形成开口或通孔于下方层中的方法其工艺步骤。