[发明专利]一种GPP芯片的制作工艺在审
| 申请号： | 201810958908.1 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109087857A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 崔丹丹;王毅;裘立强 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作工艺 玻璃熔融 玻璃粉 刀刮 产品可靠性 二极管 产品品质 钝化工艺 方便操作 光刻工艺 后续工艺 芯片加工 新型玻璃 烧结 台面 洁净度 可用 填满 隐裂 去除 切割 | ||
1.一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、扩散；在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+-N-N+结构；
S2、选择性光刻；将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；
S3、沟槽蚀刻；对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻；
S4、刀刮；
S4.1、旋涂玻璃浆；采用旋涂的方式将玻璃粉涂在晶片表面，用美工刀或硬质塑料刮刀沿晶粒对角方向进行浆料刮涂；
S4.2、烘烤；在烘烤平台上烘烤后，在烧结炉口烘烤；
S4.3、表面玻璃粉擦拭；使用无尘布沿晶粒对角方向擦拭，将晶片表面玻璃粉擦拭干净；
S5、去除台面及沟槽底部玻璃粉；采用旋涂的方法在晶片表面旋涂一层光刻胶，然后选择性光刻，在显影时去除台面及沟槽底部光阻剂及玻璃粉；
S6、烧结及玻璃熔融；通过烧结将玻璃粉表面的光阻剂排除；
S7、电极面氧化膜去除；通过光刻的方法将晶粒台面氧化膜去除，为后续金属化做准备；
S8、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕。
2.根据权利要求1所述的一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，S3中，蚀刻道深度70-160um，宽度200-1500um。
3.根据权利要求1所述的一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，S4.1中，旋转转速：100-500RPM，旋涂时间：5-15s。
4.根据权利要求1所述的一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，S4.2中，烘烤平台的烘烤温度：150-200℃，烘烤时间：10-20min，烧结炉温度：300-700℃，时间：5-30min。
5.根据权利要求1所述的一种GPP芯片的制作工艺，其特征在于，S6中，烧结温度低于玻璃转化温度，时间为15-20min；
玻璃熔融温度为640-830℃，时间为15-20min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
