[发明专利]一种GPP芯片的制作工艺

说明书

一种GPP芯片的制作工艺。涉及芯片加工领域，尤其涉及一种GPP芯片的制作工艺。提供了一种既可有效避免切割隐裂，增加台面可用面积，又能提升PN结处洁净度的新型玻璃包裹及钝化工艺，进而提高二极管产品可靠性的GPP芯片的制作工艺。本发明在工作中，将刀刮与PG工艺相结合，在刀刮后、玻璃熔融前增加一道光刻工艺，使填满玻璃粉的沟槽底部玻璃粉被去除，然后进行烧结、玻璃熔融等后续工艺。本发明方便操作，提升了产品品质。

技术领域

本发明涉及芯片加工领域，尤其涉及一种GPP芯片的制作工艺。

背景技术

目前，二极管台面产品玻璃钝化工艺一般使用DoctorBlade（即刀刮或简称DB）或者PhotoGlass（简称PG）工艺，常规的DoctorBlade工艺沟槽内存在较厚的玻璃，将晶圆切割成若干GPP芯片时要切割玻璃，玻璃比较脆，切割时容易导致玻璃损伤，从而降低玻璃的钝化保护性能，导致成品材料信赖性能力不足。

PhotoGlass工艺是将光阻剂和玻璃粉混合后，通过旋涂方法覆盖在PN结的表面，此方法虽然切割时不需要切割玻璃，但其台面有玻璃（高度20-30um），封装时焊接面远小于DB工艺，而且玻璃钝化时光阻玻璃中的光阻剂与PN结紧密接触，其杂质污染了PN结，最终影响二极管的整体耐压及可靠性，导致产品质下降。

在半导体市场竞争越演越烈的今天，拥有一流的测试技术，保证产品质量是每个半导体分立器件制造厂必备的利器，因此为了保证半导体分立器件使用的可靠性，研究一种提升二极管产品可靠性的GPP工艺具有很重要的意义。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种既可有效避免切割隐裂，增加台面可用面积，又能提升PN结处洁净度的新型玻璃包裹及钝化工艺，进而提高二极管产品可靠性的GPP芯片的制作工艺。

本发明的技术方案是：包括以下步骤：

S1、扩散；在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+-N-N+结构；

S2、选择性光刻；将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护；

S3、沟槽蚀刻；对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻；

S4、刀刮；

S4.1、旋涂玻璃浆；采用旋涂的方式将玻璃粉涂在晶片表面，用美工刀或硬质塑料刮刀沿晶粒对角方向进行浆料刮涂；

S4.2、烘烤；在烘烤平台上烘烤后，在烧结炉口烘烤；

S4.3、表面玻璃粉擦拭；使用无尘布沿晶粒对角方向擦拭，将晶片表面玻璃粉擦拭干净；

S5、去除台面及沟槽底部玻璃粉；采用光刻胶旋涂在晶片表面旋涂一层光刻胶，然后选择性光刻，在显影时去除台面及沟槽底部光阻剂及玻璃粉；

S6、烧结及玻璃熔融；通过烧结将玻璃粉表面的光阻剂排除；

S7、电极面氧化膜去除；通过光刻的方法将晶粒台面氧化膜去除，为后续金属化做准备；

S8、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕。

S3中，蚀刻道深度70-160um，宽度200-1500um。

S4.1中，旋转转速：100-500RPM，旋涂时间：5-15s。

S4.2中，烘烤平台的烘烤温度：150-200℃，烘烤时间：10-20min，烧结炉温度：300-700℃，时间：5-30min。

S6中，烧结温度低于玻璃转化温度，时间为15-20min；

玻璃熔融温度为640-830℃，时间为15-20min。