[发明专利]半导体装置及控制装置在审
申请号: | 201810958970.0 | 申请日: | 2018-08-22 |
公开(公告)号: | CN110289306A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 小林研也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电位 电位变化 控制装置 半导体区域 半导体装置 栅极电极 导电部 导电型 | ||
1.一种半导体装置,具备半导体元件和控制装置,
该半导体元件具有:
第1导电型的第1半导体区域;
第2导电型的第2半导体区域,设置在上述第1半导体区域之上;
第1导电型的第3半导体区域,设置在上述第2半导体区域的一部分之上;
导电部,隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中;以及
栅极电极,隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上,在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置,
上述控制装置与上述导电部及上述栅极电极电连接,并进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作,
在上述第1动作中,使上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位,
在上述第2动作中,使上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位,将上述半导体元件切换为导通状态,
在上述第1动作及上述第2动作之后的上述第3动作中,使上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述半导体元件切换为截止状态,
在上述第3动作之后的上述第4动作中,使上述导电部的电位从上述第2电位变化为上述第1电位。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述第1动作与上述第2动作同时进行,或者在上述第2动作之前进行。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
具备多个上述半导体元件,
上述多个半导体元件包括第1半导体元件及第2半导体元件,
上述控制装置与上述第1半导体元件的上述导电部及上述栅极电极、以及上述第2半导体元件的导电部及栅极电极电连接,
上述控制装置在上述第1动作、上述第2动作、上述第3动作及上述第4动作之前,进行其他第2动作和其他第3动作,
在上述其他第2动作中,使上述第2半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第3电位变化为上述第4电位,并将上述第2半导体元件切换为导通状态,
在上述其他第2动作之后的上述其他第3动作中,使上述第2半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述第2半导体元件切换为截止状态。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
上述第1半导体元件与上述第2半导体元件串联地连接。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,
还具备电感器,
上述电感器的一端连接在上述第1半导体元件与上述第2半导体元件之间。
6.一种半导体装置,具备多个半导体元件和控制装置,
该多个半导体元件是包括第1半导体元件及第2半导体元件的多个半导体元件,上述多个半导体元件分别具有:
第1导电型的第1半导体区域;
第2导电型的第2半导体区域,设置在上述第1半导体区域之上;
第1导电型的第3半导体区域,设置在上述第2半导体区域的一部分之上;
导电部,隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中;以及
栅极电极,隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上,在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置,
上述控制装置与多个上述导电部及多个上述栅极电极电连接,并进行第2动作、第3动作及第1动作,
在上述第2动作中,使上述第1半导体元件的上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位,将上述第1半导体元件切换为导通状态,
在上述第2动作之后的上述第3动作中,使上述第1半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述第1半导体元件切换为截止状态,
在上述第2动作之后的上述第1动作中,使上述第2半导体元件的上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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