[发明专利]半导体装置及控制装置在审

专利信息
申请号: 201810958970.0 申请日: 2018-08-22
公开(公告)号: CN110289306A 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 小林研也 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电位 电位变化 控制装置 半导体区域 半导体装置 栅极电极 导电部 导电型
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备半导体元件和控制装置,

该半导体元件具有:

第1导电型的第1半导体区域;

第2导电型的第2半导体区域,设置在上述第1半导体区域之上;

第1导电型的第3半导体区域,设置在上述第2半导体区域的一部分之上;

导电部,隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中;以及

栅极电极,隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上,在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置,

上述控制装置与上述导电部及上述栅极电极电连接,并进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作,

在上述第1动作中,使上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位,

在上述第2动作中,使上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位,将上述半导体元件切换为导通状态,

在上述第1动作及上述第2动作之后的上述第3动作中,使上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述半导体元件切换为截止状态,

在上述第3动作之后的上述第4动作中,使上述导电部的电位从上述第2电位变化为上述第1电位。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

上述第1动作与上述第2动作同时进行,或者在上述第2动作之前进行。

3.如权利要求1所述的半导体装置,其中,

具备多个上述半导体元件,

上述多个半导体元件包括第1半导体元件及第2半导体元件,

上述控制装置与上述第1半导体元件的上述导电部及上述栅极电极、以及上述第2半导体元件的导电部及栅极电极电连接,

上述控制装置在上述第1动作、上述第2动作、上述第3动作及上述第4动作之前,进行其他第2动作和其他第3动作,

在上述其他第2动作中,使上述第2半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第3电位变化为上述第4电位,并将上述第2半导体元件切换为导通状态,

在上述其他第2动作之后的上述其他第3动作中,使上述第2半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述第2半导体元件切换为截止状态。

4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,

上述第1半导体元件与上述第2半导体元件串联地连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置,其中,

还具备电感器,

上述电感器的一端连接在上述第1半导体元件与上述第2半导体元件之间。

6.一种半导体装置,具备多个半导体元件和控制装置,

该多个半导体元件是包括第1半导体元件及第2半导体元件的多个半导体元件,上述多个半导体元件分别具有:

第1导电型的第1半导体区域;

第2导电型的第2半导体区域,设置在上述第1半导体区域之上;

第1导电型的第3半导体区域,设置在上述第2半导体区域的一部分之上;

导电部,隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中;以及

栅极电极,隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上,在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置,

上述控制装置与多个上述导电部及多个上述栅极电极电连接,并进行第2动作、第3动作及第1动作,

在上述第2动作中,使上述第1半导体元件的上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位,将上述第1半导体元件切换为导通状态,

在上述第2动作之后的上述第3动作中,使上述第1半导体元件的上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位,将上述第1半导体元件切换为截止状态,

在上述第2动作之后的上述第1动作中,使上述第2半导体元件的上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位。

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