[发明专利]半导体装置及控制装置

说明书

本发明的实施方式一般涉及半导体装置及控制装置。根据一个实施方式，半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电部、栅极电极及控制装置。控制装置进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作。在第1动作中，使导电部的电位从第1电位变化为高于第1电位的第2电位。在第2动作中，使栅极电极的电位从第3电位变化为高于第3电位的第4电位。在第1动作及第2动作之后的第3动作中，使栅极电极的电位从第4电位变化为第3电位。在第3动作之后的第4动作中，使导电部的电位从第2电位变化为第1电位。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2018－50831号(申请日：2018年3月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式一般涉及半导体装置及控制装置。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等的半导体装置被用于电力变换等的用途。希望半导体装置的消耗电力较低。

发明内容

本发明的实施方式提供能够降低消耗电力的半导体装置及其控制装置。

根据一个实施方式，半导体装置具有半导体元件及控制装置。上述半导体元件具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、导电部、栅极电极及控制装置。上述第2半导体区域设置在上述第1半导体区域之上。上述第3半导体区域设置在上述第2半导体区域的一部分之上。上述导电部隔着第1绝缘部设置在上述第1半导体区域中。上述栅极电极隔着第2绝缘部设置在上述导电部之上。上述栅极电极在与从上述第1半导体区域朝向上述第2半导体区域的第1方向垂直的第2方向上，与上述第1半导体区域的一部分、上述第2半导体区域及上述第3半导体区域的至少一部分隔着栅极绝缘部而对置。上述控制装置与上述导电部及上述栅极电极电连接。上述控制装置进行第1动作、第2动作、第3动作及第4动作。在上述第1动作中，使上述导电部的电位从第1电位变化为绝对值大于上述第1电位的第2电位。在上述第2动作中，使上述栅极电极的电位从第3电位变化为绝对值大于上述第3电位的第4电位，将上述半导体元件切换为导通状态。上述第3动作在上述第1动作及上述第2动作之后进行，在上述第3动作中，使上述栅极电极的电位从上述第4电位变化为上述第3电位，将上述半导体元件切换为截止状态。在上述第3动作之后的上述第4动作中，使上述导电部的电位从上述第2电位变化为上述第1电位。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的半导体装置的示意图。

图2是表示实施方式所涉及的半导体装置中包括的半导体元件的一部分的立体剖视图。

图3是包括实施方式所涉及的半导体装置的电气设备的电路图。

图4(a)～(d)是表示图3所示的电气电路的动作的示意图。

图5(a)～(c)是表示图3所示的电气电路的动作的示意图。

图6是表示图3所示的电气电路的动作的时序图。

图7是包括实施方式所涉及的半导体装置的其他的电气设备的电路图。

图8(a)～(f)是表示图7所示的电气电路的动作的示意图。

图9是表示图7所示的电气电路的动作的时序图。

具体实施方式

以下，对于本发明的各实施方式，参照附图进行说明。