[发明专利]交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括：

第一组线，其沿着第一方向延伸；

第二组线，其在所述第一组线上方，其中所述第二组的个别线与所述第一组的个别线在交叉点部位处交叉；

存储器结构，其在所述交叉点部位处位于所述第一组线与所述第二组线之间；每个存储器结构包括顶部电极材料、底部电极材料和在所述顶部电极材料与所述底部电极材料之间的可编程材料；

绝缘材料的轨条，其平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间；

所述可编程材料，其具有在所述存储器结构内的第一区且具有在绝缘材料的所述轨条上方的第二区；及

平坦化表面，其横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其包括位于所述第一组线与所述存储器结构之间的选择装置。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述选择装置是二极管。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中个别存储器结构的中部的所述顶部电极材料沿着竖直方向的厚度与所述个别存储器结构的中部的所述底部电极材料沿着所述竖直方向的厚度的比率至少为150。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储器结构是电容器。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储器结构是铁电电容器。

7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述轨条的所述绝缘材料包括二氧化硅。

8.一种存储器阵列，其包括：

第一组线，其沿着第一方向延伸；

第二组线，其在所述第一组线上方并沿着基本上与所述第一方向正交的第二方向延伸；所述第二组线与所述第一组线在交叉点部位处交叉；所述第二组线沿着所述第一方向通过插入区彼此间隔开；

存储器结构，其在所述交叉点部位处位于所述第一组线与所述第二组线之间；每个存储器结构包括顶部电极材料、底部电极材料和在所述顶部电极材料与所述底部电极材料之间的可编程材料；其中个别存储器结构的中部的所述顶部电极材料沿着竖直方向的厚度与所述个别存储器结构的中部的所述底部电极材料沿着所述竖直方向的厚度的比率至少为150；

绝缘材料的轨条，其在所述插入区内并平行于所述第二组线延伸；

所述可编程材料，其具有在所述存储器结构内的第一区且具有在所述插入区内并在绝缘材料的所述轨条上方的第二区；所述可编程材料具有波状配置，其包含相对于所述第一区竖直地移位的所述第二区；及

所述顶部电极材料，其被配置成线性结构，所述线性结构沿着所述第二方向延伸且具有在其中延伸的向上开口的线性沟槽；所述第二组线在所述向上开口的线性沟槽内。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其具有横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸的平坦化表面。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述平坦化表面还横越所述顶部电极材料的所述线性结构的上部表面延伸。

11.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述可编程材料包括铁电材料。

12.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述第一组线是字线，且所述第二组线是数字线。

13.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述轨条的所述绝缘材料包括二氧化硅。