[发明专利]交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法

说明书

本发明涉及交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿着第一方向延伸的第一组线，和在所述第一组线上方并沿着第二方向延伸的第二组线。所述第二组线与所述第一组线在交叉点部位处交叉。存储器结构在所述交叉点部位内。每个存储器结构包含顶部电极材料、底部电极材料和可编程材料。绝缘材料的轨条平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间。所述可编程材料具有在所述存储器结构内的第一区和在绝缘材料的所述轨条上方的第二区。平坦化表面横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。一些实施例包含形成存储器阵列的方法。

技术领域

公开了交叉点存储器结构阵列和形成交叉点存储器结构阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且用于计算机系统中以存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线、感测线或数据/感测线)和接入线(其也可被称作字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且接入线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。每个存储器单元可通过数字线与接入线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在很长一段时间内存储数据，包含计算机的关闭时间。易失性存储器发生耗散，且因此被快速更新/重写，在许多情况下每秒进行多次。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选择状态保持或存储存储器。在二元系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可被配置成存储多于两个位或状态的信息。

电容器是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。电容器具有由电绝缘材料分离的两个电导体。电场能量可静电存储在此类材料内，且所述材料的电状态可用来表示存储器状态。因此，电容器的绝缘材料可对应于存储器单元的可编程材料。通常用于电容器中的绝缘材料可使电荷快速地耗散，且因此往往会用于易失性存储器中。

一种类型的电容器是铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为绝缘材料的至少部分。铁电材料的特征在于具有两个稳定的极化状态。铁电材料的极化状态可通过施加合适的编程电压来改变，且在移除编程电压之后(至少持续一定时间)保持不变。每个极化状态具有彼此不同的电荷存储电容，所述电荷存储电容理想地可用以对存储器状态写入(即，存储)和读取而不颠倒极化状态直到期望进行此颠倒为止。不太合意地，在具有铁电电容器的某个存储器中，读取存储器状态的行为可能会颠倒极化。因此，在确定极化状态后，进行对存储器单元的重写以紧接在其确定之后将存储器单元置于预读取状态中。无论如何，由于形成电容器的一部分的铁电材料的双稳态特性，并入有铁电电容器的存储器单元理想地为非易失性的。一种类型的存储器单元具有与铁电电容器串联地电连接的选择装置。

发明内容

根据本发明的一方面，提供一种存储器阵列，且所述存储器阵列包括：第一组线，其沿着第一方向延伸；第二组线，其在所述第一组线上方，其中所述第二组的个别线与所述第一组的个别线在交叉点部位处交叉；存储器结构，其在所述交叉点部位处位于所述第一组线与所述第二组线之间；每个存储器结构包括顶部电极材料、底部电极材料和在所述顶部电极材料与所述底部电极材料之间的可编程材料；绝缘材料的轨条，其平行于所述第二组线延伸并沿着所述第一方向与所述第二组线相间；所述可编程材料，其具有在所述存储器结构内的第一区且具有在绝缘材料的所述轨条上方的第二区；及平坦化表面，其横越所述第二组线且横越所述可编程材料的所述第二区延伸。