[发明专利]一种CMP离散数据曲面重构方法及装置

说明书

本发明公开了一种CMP离散数据曲面重构方法及装置，包括根据获得的初始CMP离散数据，生成离散数据重构的初始计算网格，并确定坐标平面；对坐标平面确定的构造点的邻域和外围区域进行初始赋值，获得构造点的初始函数值；依据离散数据的基准点的坐标位置和构造点的初始函数值，对离散数据进行连续延拓和修正处理，获得离散数据对应的初始重构二维曲面；对初始重构二维曲面进行光滑处理，获得光滑重构曲面；对光滑重构曲面进行插值处理，获得初始目标曲面；采用直角坐标表示初始目标曲面，获得离散数据对应的目标重构曲面。本发明可实现缩短CMP建模周期及提高建模效率的目的。

技术领域

本发明涉及化学机械研磨仿真技术领域，特别是涉及一种CMP离散数据曲面重构方法及装置。

背景技术

在集成电路制造过程中，为了获得超净光滑平坦表面，需要采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization，CMP)技术对晶圆表面进行平坦化处理，以期获得产品性能和优良率的提升。

然而，集成电路的飞速发展对晶圆表面的平坦性要求极高，要想获得纳米级或者更高级别的光滑表面，需要不断改进工艺条件和优化芯片设计结构，因此，针对CMP工艺开展建模仿真已成为实现设计与工艺协同优化的重要手段和方法。但是，研磨体系的复杂性、CMP实验数据的有限以及工艺偏差的随机波动使得CMP模型开发和校正是一个不断优化和迭代的长期过程，使得现有技术中的CMP工艺仿真模型的建模周期长，效率较低。

发明内容

针对于上述问题，本发明提供一种CMP离散数据曲面重构方法及装置，可实现缩短CMP建模周期及提高建模效率的目的。

为了实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种CMP离散数据曲面重构方法，包括：

根据获得的初始CMP离散数据，生成所述离散数据重构的初始计算网格，并确定坐标平面；

对所述坐标平面确定的构造点的邻域和外围区域进行初始赋值，获得所述构造点的初始函数值；

依据所述离散数据的基准点的坐标位置和所述构造点的初始函数值，对所述离散数据进行连续延拓和修正处理，获得所述离散数据对应的初始重构二维曲面；

对所述初始重构二维曲面进行光滑处理，获得光滑重构曲面；

对所述光滑重构曲面进行插值处理，获得初始目标曲面；

采用直角坐标表示所述初始目标曲面，获得所述离散数据对应的目标重构曲面。

可选地，所述根据获得的初始CMP离散数据，生成所述离散数据重构的初始计算网格，并确定坐标平面，包括：

将预设的晶圆圆心作为极坐标原点，建立极坐标系；

将所述离散数据确定为基准点，并根据所述基准点确定构造点；

在所述极坐标系上确定基准点的坐标位置和所述构造点的坐标位置，并确定坐标平面。

可选地，所述对所述坐标平面确定的构造点的邻域和外围区域进行初始赋值，获得所述构造点的初始函数值，包括：

将所有所述基准点分别作为中心画圆，确定出圆心距离间最短的路径；

根据所述最短路径确定圆域；

在所述圆域内以所述基准点为邻域对所述构造点进行函数赋值；

对所述圆域以外的构造点，根据所述基准点的加权平均值，对所述构造点进行函数赋值；

根据所述函数赋值，确定所述构造点的初始函数值。