[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种操作半导体存储器装置的方法，以对所述半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程，所述方法包括执行多个编程循环，

其中所述编程循环中的每一个包括：

基于输入到所述半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；

将两步编程脉冲施加到与所述选择的物理页面联接的字线；

使用双重验证方案对所述选择的物理页面执行编程验证操作；以及

基于所述编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压，

其中使用所述双重验证方案对所述选择的物理页面执行所述编程验证操作包括：

将验证电压施加到所述字线，所述验证电压对应于至少一个编程状态，并使用辅助评估时间来执行辅助验证操作；以及

将所述验证电压施加到所述字线，并使用主评估时间来执行主验证操作，并且

其中所述辅助评估时间小于所述主评估时间。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中基于输入到所述页面缓冲器的数据施加位线电压包括：

将编程允许电压施加到与待被编程的目标存储器单元联接的位线；以及

将编程禁止电压施加到与编程禁止存储器单元联接的位线。

3. 根据权利要求1所述的方法，其中基于所述编程验证操作的结果确定待在所述随后的编程循环中施加的位线电压包括：

确定所述选择的物理页面中的存储器单元的阈值电压是否小于对应于所述辅助评估时间的辅助验证电压；以及

确定所述选择的物理页面中的存储器单元的阈值电压是否小于对应于所述主评估时间的主验证电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中当所述存储器单元的阈值电压小于所述辅助验证电压时，确定第一编程允许电压为待在所述随后的编程循环中施加到与所述存储器单元联接的位线的电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其中当所述存储器单元的阈值电压等于或大于所述辅助验证电压且小于所述主验证电压时，确定大于所述第一编程允许电压的第二编程允许电压为待在所述随后的编程循环中施加到与所述存储器单元联接的位线的电压。

6.根据权利要求5所述的方法，其中当所述存储器单元的阈值电压大于所述主验证电压时，确定编程禁止电压为待在所述随后的编程循环中施加到与所述存储器单元联接的位线的电压。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一编程允许电压是接地电压。

8.一种操作半导体存储器装置的方法，以对所述半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程，所述方法包括执行多个编程循环，

其中所述编程循环中的每一个包括：

将当前编程循环计数与阈值循环计数进行比较；以及

基于所述比较的结果确定待被施加到与所述选择的物理页面联接的字线的编程脉冲，并且

所述当前编程循环计数是自编程操作开始以来执行编程循环的总次数。

9.根据权利要求8所述的方法，其中基于所述比较的结果确定待被施加到与所述选择的物理页面联接的字线的编程脉冲包括当所述当前编程循环计数小于所述阈值循环计数时，确定正常编程脉冲为待被施加到所述字线的编程脉冲。

10.根据权利要求9所述的方法，其中基于所述比较的结果确定待被施加到与所述选择的物理页面联接的字线的编程脉冲包括当所述当前编程循环计数等于或大于所述阈值循环计数时，确定两步编程脉冲为待被施加到所述字线的编程脉冲。