[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法

说明书

本发明提供一种半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法，以对半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程。该方法可以包括执行多个编程循环。编程循环中的每一个可以包括：基于输入到半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；将两步编程脉冲施加到与选择的物理页面联接的字线；使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作；以及基于编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月19日提交的申请号为10-2017-0175203的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置。特别地，实施例涉及一种半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的操作方法。

背景技术

通常，存储器装置可以具有二维结构或三维结构，在二维结构中，串被水平地布置在半导体衬底上，在三维结构中，串被垂直地堆叠在半导体衬底上。三维存储器装置可以克服二维存储器装置的集成度限制，并且可以包括垂直地堆叠在半导体衬底上的多个存储器单元。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种操作速度和可靠性提高的半导体存储器装置。

本公开的各个实施例涉及一种操作速度和可靠性提高的半导体存储器装置的操作方法。

本公开的实施例可以提供一种操作半导体存储器装置的方法，以对半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程，该方法包括执行多个编程循环。编程循环中的每一个可以包括：基于输入到半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；将两步编程脉冲施加到与选择的物理页面联接的字线；使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作；以及基于编程验证操作的结果，确定待在随后的编程循环中施加的位线电压。

在实施例中，基于输入到页面缓冲器的数据施加位线电压可以包括：将编程允许电压施加到与待被编程的目标存储器单元联接的位线；以及将编程禁止电压施加到与编程禁止存储器单元联接的位线。

在实施例中，施加两步编程脉冲可以包括：将具有第一水平的编程电压施加到字线；以及将编程电压的电压水平从第一水平增加到第二水平。

在实施例中，使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作可以包括：通过将辅助验证电压施加到字线来执行辅助验证操作，辅助验证电压对应于至少一个编程状态；以及通过将主验证电压施加到字线来执行主验证操作，主验证电压对应于该至少一个编程状态。辅助验证电压可以小于主验证电压。

在实施例中，使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作可以包括：将验证电压施加到字线，验证电压对应于至少一个编程状态，并使用辅助评估时间来执行辅助验证操作；以及将验证电压施加到字线，并使用主评估时间来执行主验证操作。辅助评估时间可以小于主评估时间。

在实施例中，基于编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压可以包括：确定选择的物理页面中的存储器单元的阈值电压是否小于辅助验证电压；以及确定选择的物理页面中的存储器单元的阈值电压是否小于主验证电压。

在实施例中，当存储器单元的阈值电压小于辅助验证电压时，可以确定第一编程允许电压为待在随后的编程循环中施加到与存储器单元联接的位线的电压。

在实施例中，当存储器单元的阈值电压等于或大于辅助验证电压且小于主验证电压时，可以确定大于第一编程允许电压的第二编程允许电压为待在随后的编程循环中施加到与存储器单元联接的位线的电压。

在实施例中，当存储器单元的阈值电压大于主验证电压时，可以确定编程禁止电压为待在随后的编程循环中施加到与存储器单元联接的位线的电压。

在实施例中，第一编程允许电压可以是接地电压。