[发明专利]一种存储器的擦除方法和系统

权利要求书

1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：

擦除时序C1时向存储单元施加擦除电压；

校验时序Y1时向存储单元施加校验电压；

若校验失败，在擦除时序C1后则再次向存储单元施加至少两个具有增幅的擦除电压以再次进行校验，擦除电压的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，被擦除数据成功的存储单元的数量Q越多，擦除电压的增幅D_vers越小；其中，所述至少两个具有增幅的擦除电压中每一个擦除电压的增幅基于其自身前一次擦除电压；

所述擦除时序C1时向存储单元施加擦除电压时擦除电压的幅值为V_ers，第n次向存储单元施加擦除电压时，所述擦除电压的幅值为V_ers+(n-1)D_vers，其中n为正整数，且n≥1，随着被擦除数据成功的存储单元的数量Q的按阶段增大，D_vers减小；

所述擦除电压的增幅D_vers还包括第三增幅D_vers3，Q＜num1时，每次校验失败擦除电压的增幅为第一增幅D_vers1，num1≤Q＜num2时，每次校验失败擦除电压的增幅为第二增幅D_vers2，Q≥num2时，每次校验失败擦除电压的增幅为第三增幅D_vers3，num1为被擦除数据成功的存储单元的数量的第一阈值，num2为被擦除数据成功的存储单元的数量的第二阈值。

2.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于：需要被擦除的存储单元的数量为P，所述num1占P的40％～60％，所述num2占P的70％～90％。

3.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于：擦除时序C1时，对所有字线施加第一电压，对存储单元的衬底施加擦除电压。

4.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于：所述擦除电压的范围是18V～24V。

5.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于：校验时序Y1时，对所有字线施加校验电压，将所有位线预充到预充电电压；接着对所有位线进行第一时间的放电，然后将放电后的位线电压与第一判定电压进行比较，若放电后位线的电压都低于所述第一判定电压，则表示校验成功可以结束操作，反之，表示校验失败需再次对存储器进行擦除并进行校验。

6.如权利要求1所述的存储器的擦除方法，其特征在于：所述校验电压的范围是0V～1V。

7.如权利要求5所述的存储器的擦除方法，其特征在于：所述预充电电压的范围是1v～1.2v。

8.一种存储器的擦除系统，其特征在于，存储器的擦除系统包括：

擦除模块，用于擦除时序C1时向存储单元施加擦除电压；

校验模块，用于校验时序Y1时向存储单元施加校验电压；

若校验失败，在擦除时序C1后则擦除模块再次向存储单元施加至少两个具有增幅的擦除电压，校验模块以再次进行校验，擦除电压的增幅D_vers至少包括第一增幅D_vers1和第二增幅D_vers2，D_vers1＞D_vers2，被擦除数据成功的存储单元的数量Q越多，擦除电压的增幅D_vers越小；其中，所述至少两个具有增幅的擦除电压中每一个擦除电压的增幅基于其自身前一次擦除电压；

所述擦除时序C1时向存储单元施加擦除电压时擦除电压的幅值为V_ers，第n次向存储单元施加擦除电压时，所述擦除电压的幅值为V_ers+(n-1)D_vers，其中n为正整数，且n≥1，随着被擦除数据成功的存储单元的数量Q的按阶段增大，D_vers减小；

所述擦除电压的增幅D_vers还包括第三增幅D_vers3，Q＜num1时，每次校验失败擦除电压的增幅为第一增幅D_vers1，num1≤Q＜num2时，每次校验失败擦除电压的增幅为第二增幅D_vers2，Q≥num2时，每次校验失败擦除电压的增幅为第三增幅D_vers3，num1为被擦除数据成功的存储单元的数量的第一阈值，num2为被擦除数据成功的存储单元的数量的第二阈值。