[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底具有相对设置的正面方向的第一面和背面方向的第二面；

在所述衬底的正面方向的第一面上形成衬垫氧化层；

在所述衬底的正面方向和背面方向上淀积氮化硅保护层；

在所述衬底的正面方向上形成有源区和浅沟槽隔离结构；

在所述衬底的正面方向上淀积牺牲层；

去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述在所述衬底的正面方向和背面方向上淀积氮化硅保护层，具体为采用炉管工艺在所述衬底的正面方向的衬垫氧化层上和所述衬底的背面方向的第二面上同时淀积氮化硅保护层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述在所述衬底的正面方向上形成有源区和浅沟槽隔离结构，包括有源区光刻、浅沟槽刻蚀、高密度等离子体淀积和化学机械平坦化，所述衬底的正面方向的氮化硅保护层被消耗掉一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述牺牲层为氮化硅层或氮氧化硅层。

5.根据权利要求所述1的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述牺牲层的厚度与所述衬底的正面方向的氮化硅保护层的厚度之和与所述衬底的背面方向的氮化硅保护层的厚度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述牺牲层的厚度与所述衬底的正面方向的氮化硅保护层的厚度之和大于所述衬底的背面方向的氮化硅保护层的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述牺牲层的厚度为400埃到800埃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述在所述衬底的正面方向上淀积牺牲层，具体为采用物理气相淀积的方法在所述衬底的正面方向的氮化硅保护层上淀积牺牲层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层，具体为使用磷酸同时去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层。