[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的正面方向的第一面和背面方向的第二面；在所述衬底的正面方向的第一面上形成衬垫氧化层；在所述衬底的正面方向和背面方向上淀积氮化硅保护层；在所述衬底的正面方向上形成有源区和浅沟槽隔离结构；在所述衬底的正面方向上淀积牺牲层；去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层。本发明半导体器件的制造方法能同时全部去除衬底正面方向的背面方向的氮化硅保护层。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

在传统的CMOS工艺中，在衬底正面方向上的衬垫氧化层上面一般会有一层氮化硅保护层，而该氮化硅保护层因为是由炉管工艺长成，所以在衬底的正面方向和背面方向都有相同厚度的氮化硅保护层。按照工艺流程，后续会在衬底的正面方向上进行相应的有源区光刻、浅沟槽刻蚀、高密度等离子体淀积、化学机械平坦化等。在此过程中，衬底的正面方向的氮化硅保护层会被消耗掉一部分，如此导致衬底的背面方向的氮化硅保护层比正面方向的剩余的氮化硅保护层厚度要厚一些。此时，用磷酸去除氮化硅保护层，产生的问题是：如果只考虑正面方向的氮化硅保护层全部去除，则背面方向的氮化硅保护层会有残留，会导致后面工艺中相邻晶圆的栅氧层不均匀；如果要考虑同时把背面的氮化硅保护层也全部去除，则需要加大磷酸量，那就会导致正面方向的高密度等离子体损失太多，有源区和浅沟槽隔离结构控制不好，影响器件特性。尤其如果有些产品需要将衬垫氧化层保留，加大磷酸量的办法更不可行。

发明内容

本发明提供一种半导体器件的制造方法，以解决上述背景技术中提到的技术问题。

为了实现上述目的，本发明提出一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有相对设置的正面方向的第一面和背面方向的第二面；在所述衬底的正面方向的第一面上形成衬垫氧化层；在所述衬底的正面方向和背面方向上淀积氮化硅保护层；在所述衬底的正面方向上形成有源区和浅沟槽隔离结构；在所述衬底的正面方向上淀积牺牲层；去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层。

进一步的，所述在所述衬底的正面方向和背面方向上淀积氮化硅保护层，具体为采用炉管工艺在所述衬底的正面方向的衬垫氧化层上和所述衬底的背面方向的第二面上同时淀积氮化硅保护层。

进一步的，所述在所述衬底的正面方向上形成有源区和浅沟槽隔离结构，包括有源区光刻、浅沟槽刻蚀、高密度等离子体淀积和化学机械平坦化，所述衬底的正面方向的氮化硅保护层被消耗掉一部分。

进一步的，所述牺牲层为氮化硅层或氮氧化硅层。

进一步的，所述牺牲层的厚度与所述衬底的正面方向的氮化硅保护层的厚度之和与所述衬底的背面方向的氮化硅保护层的厚度相同。

进一步的，所述牺牲层的厚度与所述衬底的正面方向的氮化硅保护层的厚度之和大于所述衬底的背面方向的氮化硅保护层的厚度。

进一步的，所述牺牲层的厚度为400埃到800埃。

进一步的，所述在所述衬底的正面方向上淀积牺牲层，具体为采用物理气相淀积的方法在所述衬底的正面方向的氮化硅保护层上淀积牺牲层。

进一步的，所述去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层，具体为使用磷酸同时去除所述衬底的正面方向的牺牲层和氮化硅保护层和背面方向的氮化硅保护层。