[发明专利]基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构

权利要求书

1.基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构，包括介质集成悬置线的多层结构，其特征在于，所述多层结构中的一层或多层设置为高介电材料层；所述高介电材料层上设置空腔，且空腔内设置与空腔形状匹配的高介电材料(1)；与高介电材料层相邻的介质层朝向高介电材料层的面上设置金属板(3)；

当所述介质集成悬置线的多层结构为五层结构时，所述五层结构包括自上而下依次设置的介质层A(11)、介质层B(12)、介质层C(13)、介质层D(14)和介质层E(15)；所述介质层B(12)和介质层D(14)为高介电材料层；所述介质层A(11)朝向介质层B(12)的面上设置金属板(3)；所述介质层C(13)朝向介质层B(12)和介质层D(14)的两个面上均设置金属板(3)；所述介质层E(15)朝向介质层B(12)的面上设置金属板(3)；

当所述介质集成悬置线的多层结构为七层结构时；所述七层结构包括自上而下依次设置的第一介质层(21)、第二介质层(22)、第三介质层(23)、第四介质层(24)、第五介质层(25)、第六介质层(26)和第七介质层(27)；所述第四介质层(24)为高介电材料层；

所述第三介质层(23)和第五介质层(25)的两个面上均设置金属板(3)；所述第二介质层(22)和第六介质层(26)均镂空形成空腔结构；所述第一介质层(21)朝向第二介质层(22)的面上设置金属板(3)；所述第七介质层(27)朝向第六介质层(26)的面上设置金属板(3)。

2.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构，其特征在于，所述介质层C(13)两个面上的金属板(3)通过贯穿介质层C(13)的金属化通孔(2)连接。

3.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构，其特征在于，所述介质层C(13)一个面上的金属板(3)接端口A(16)，另一个面上的金属板(3)接端口B(17)。

4.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构，其特征在于，所述第三介质层(23)两个面上的金属板(3)通过贯穿第三介质层(23)的金属化通孔(2)连接；所述第五介质层(25)两个面上的金属板(3)通过贯穿第五介质层(25)的金属化通孔(2)连接。

5.根据权利要求1所述的基于介质集成悬置线和高介电材料的电容结构，其特征在于，所述第三介质层(23)朝向第二介质层(22)的面上设置的金属板(3)接第一端口(28)；所述第五介质层(25)朝向第六介质层(26)的面上设置的金属板(3)接第二端口(29)。