[发明专利]具有太阳能电池的集成电路及其生产方法

权利要求书

1.一种集成电路，包含：

衬底，其包含握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层，其中，该握把层包含单晶硅且该主动层包含单晶硅；

晶体管，其上覆于该埋置型绝缘体层；

太阳能电池，其位在该握把层内，使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间，其中，该太阳能电池包含与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层，并且其中，该太阳能电池内层与该太阳能电池外层为单晶硅；

深偏压井，其下伏于该埋置型绝缘体层与该晶体管，其中，该深偏压井上覆于该太阳能电池内层，以及

深偏压井接触部，其与该深偏压井电连通。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中：

该太阳能电池外层接触部与该太阳能电池外层主要包含相同类型的导电性决定杂质；以及

该太阳能电池内层接触部与该太阳能电池内层主要包含相同类型的导电性决定杂质。

3.如权利要求1所述的集成电路，进一步包含：

太阳能电池光表面，其位在该太阳能电池外层上；以及

抗反射层，其接触该太阳能电池光表面。

4.如权利要求3所述的集成电路，其中，该太阳能电池光表面呈锯齿状。

5.如权利要求1所述的集成电路，其中，该深偏压井与该太阳能电池内层主要包含不同类型的导电性决定杂质。

6.如权利要求1所述的集成电路，进一步包含：

浅偏压井，其下伏于该晶体管，其中，该浅偏压井上覆于该深偏压井；以及

浅偏压井接触部，其与该浅偏压井电连通。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中，该太阳能电池外层主要包含P型导电性决定杂质，并且该太阳能电池内层主要包含N型导电性决定杂质。

8.如权利要求7所述的集成电路，进一步包含：

深偏压井，其下伏于该埋置型绝缘体层，其中，该深偏压井主要包含P型导电性决定杂质。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中：

其中，该太阳能电池外层与该太阳能电池内层主要包括不同类型的导电性决定杂质。

10.如权利要求1所述的集成电路，其中：

该晶体管包含源极、漏极、栅极、及下伏于该栅极的沟道，其中，该沟道包含单晶硅。

11.如权利要求10所述的集成电路，其中，该沟道比该栅极更靠近该太阳能电池。

12.如权利要求1所述的集成电路，其中，该太阳能电池内层包含：

浅太阳能井，其接触该埋置型绝缘体层；以及

深太阳能井。

13.如权利要求12所述的集成电路，进一步包含：

深偏压井，其置于该深太阳能井与该埋置型绝缘体层之间。

14.一种集成电路，包含：

衬底，其包含握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层；

晶体管，其上覆于该埋置型绝缘体层，其中，该晶体管包含源极、漏极与栅极、及下伏于该栅极的沟道；以及

太阳能电池，其位在该握把层内，使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间，其中，该太阳能电池包含与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层，其中，该沟道比该栅极相对于该太阳能电池而言更靠近该太阳能电池，该太阳能电池内层包含与该埋置型绝缘体层接触的浅太阳能井，并且其中，该太阳能电池内层进一步包含深太阳能井。