[发明专利]具有太阳能电池的集成电路及其生产方法有效
申请号: | 201810966466.5 | 申请日: | 2018-08-23 |
公开(公告)号: | CN109599406B | 公开(公告)日: | 2022-11-08 |
发明(设计)人: | 刘斌;卓荣发 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L27/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 新加坡,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 太阳能电池 集成电路 及其 生产 方法 | ||
本发明涉及具有太阳能电池的集成电路及其生产方法,所提供的是集成电路及其生产方法。在一例示性具体实施例中,集成电路包括衬底,其具有握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层。该握把层与该主动层包括单晶硅。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层,并且太阳能电池位在该握把层内,使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间。该太阳能电池包括与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、及与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层。该等太阳能电池内层与外层为单晶硅。
技术领域
本发明的技术领域大体上是关于具有太阳能电池的集成电路及其生产方法,并且更尤指具有单晶硅太阳能电池的集成电路及其生产方法。
背景技术
电力提供操作集成电路的动力。然而,有一些集成电路是用在没有可靠供电或供电不理想的地方。举例而言,物联网涉及嵌埋于许多消费性产品中的运算装置经由互联网的互连,诸如可穿戴式装置、无线传感器等。此互连可通过具有长期、可携式电源供应器的较低功率装置来促成。电力能通过电池或硬件布线(hard-wired)供电器来提供,但电池最终会耗尽电量,而且硬件布线供电器并非所有位置都有且移动性有限。
能够产生自有电力的集成电路可用在没有硬件布线供电器或硬件布线供电器不理想的位置、以及视需要监控与变更电池亦不理想的位置中。远程供电器可用的一种技术为太阳能电池的使用。太阳能电池从光产生电,但所产生的电量取决于太阳能电池的面积与效率。集成电路的尺寸大小随着时间缩减,以致在集成电路上太阳能电池可用的空间更小。
因此,希望提供具备太阳能电池的集成电路,其(1)有效率地利用可用空间以及(2)有效率地从光产生电。另外,希望提供具有太阳能电池的集成电路,其中太阳能电池生产不昂贵并且利用的是已在在集成电路中使用的组件与材料。此外,本具体实施例的其它期望特征及特性经由随后的【具体实施方式】及随附权利要求书,搭配附图以及【背景技术】,将变得显而易知。
发明内容
所提供的是集成电路及其生产方法。在一例示性具体实施例中,集成电路包括衬底,其具有握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层。该握把层与该主动层包括单晶硅。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层。太阳能电池位在该握把层内,并且安置成使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间。该太阳能电池包括与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、及与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层。该等太阳能电池内层与外层为单晶硅。
另一具体实施例中提供一种集成电路。该集成电路包括衬底,其具有握把层、上覆于该握把层的埋置型绝缘体层、及上覆于该埋置型绝缘体层的主动层。晶体管上覆于该埋置型绝缘体层,其中该晶体管包括源极、漏极、栅极、及下伏于该栅极的沟道。太阳能电池位在该握把层内,使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间。该太阳能电池包括与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、及与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层。该沟道比该栅极更靠近该太阳能电池。
又另一具体实施例中提供一种生产集成电路的方法。本方法包括形成上覆于埋置型绝缘体层的晶体管,以及形成下伏于该埋置型绝缘体层的太阳能电池,使得该埋置型绝缘体层介于该太阳能电池与该晶体管之间。该太阳能电池包括与太阳能电池外层接触部电连通的太阳能电池外层、及与太阳能电池内层接触部电连通的太阳能电池内层。该等太阳能电池内层与外层主要包括不同类型的导电性决定杂质,并且该等太阳能电池内层与外层为单晶硅。
附图说明
本发明的具体实施例将在下文中搭配以下图式来说明,其中相同的组件符号表示相似的组件,并且其中:
图1至9根据例示性具体实施例,在截面图中绘示一种集成电路及其生产方法。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的