[发明专利]测定装置、测定方法以及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种测定装置，具有：

切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的电极的连接进行切换；

具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及

测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值，

其中，所述切换部在利用等离子体执行基板处理期间将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接，以及

所述测定部在执行所述基板处理期间测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

2.根据权利要求1所述的测定装置，其特征在于，

所述切换部将所述电极的连接在同直流电源连接与同所述具有静电电容的构件连接之间进行切换。

3.根据权利要求1或2所述的测定装置，其特征在于，

在所述切换部与所述具有静电电容的构件之间具有去除高频电力的滤波器。

4.根据权利要求1或2所述的测定装置，其特征在于，

所述切换部在清洁处理期间将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接，

所述测定部在所述清洁处理期间测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

5.根据权利要求1或2所述的测定装置，其特征在于，

在所述切换部将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接之后，施加高频电力。

6.根据权利要求1或2所述的测定装置，其特征在于，

基于进行所述测定得到的与电荷量相当的值来测定等离子体的自偏压。

7.根据权利要求1或2所述的测定装置，其特征在于，

所述测定部具有探针，该探针以与所述具有静电电容的构件的表面非接触或接触的方式设置，

所述具有静电电容的构件和所述探针设置在真空容器内。

8.一种测定方法，包括：

切换工序，对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内的电极的连接进行切换；

施加工序，向所述静电卡盘施加高频电力；以及

测定工序，测定同通过所述切换而与所述电极连接且具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值，

在所述切换工序中，在利用等离子体执行基板处理期间将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接，

在所述测定工序中，在执行所述基板处理期间测定与具有所述静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

9.根据权利要求8所述的测定方法，其特征在于，

在所述切换工序中，将所述电极的连接在同直流电源连接与同所述具有静电电容的构件连接之间进行切换。

10.根据权利要求8或9所述的测定方法，其特征在于，

在所述切换工序中将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接之后，在所述施加工序中施加高频电力。

11.根据权利要求10所述的测定方法，其特征在于，

在所述切换工序中，在清洁处理期间将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接，

在所述测定工序中，在所述清洁处理期间测定与具有所述静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

12.根据权利要求8或9述的测定方法，其特征在于，

包括判定工序，在该判定工序中，参照存储有预先测定得到的所述与电荷量相当的值同表示所述静电卡盘的残留吸附状态的值的相关信息的存储部，基于测定得到的所述与电荷量相当的值来判定基板的残留吸附状态。

13.根据权利要求12所述的测定方法，其特征在于，

在所述判定工序中，当参照所述存储部判定为测定出的所述与电荷量相当的值的绝对值高于预先决定的阈值时，判定为执行清洁处理或静电卡盘的维护。

14.一种等离子体处理装置，具有：

高频电源，其施加高频电力；

切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的电极的连接进行切换；

具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及

测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值，

其中，所述切换部在利用等离子体执行基板处理期间将所述电极的连接切换到同所述具有静电电容的构件连接，以及

所述测定部在执行所述基板处理期间测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。