[发明专利]测定装置、测定方法以及等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(V_dc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

技术领域

本发明涉及一种测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。

背景技术

在等离子体处理装置内进行的蚀刻、成膜等等离子体处理中，为了控制蚀刻速率、成膜速率，掌握等离子体的状态尤为重要。因此，提出有一种测定自偏压V_dc以测定等离子体的状态的方法(例如参照专利文献1、2)。

专利文献1利用不与等离子体直接接触的设备来间接地进行自偏压V_dc的测定。在专利文献1中，设备被设置在处理容器壁内，测定对设备内的通过电介质而绝缘的电极施加的电压，根据该测定电压，将各寄生电容考虑在内地计算自偏压V_dc。

在专利文献2中，将自偏压V_dc的测定电路组装到匹配器中，将测定电路的输入电阻设为相比喷头的电阻值而言足够大的值，利用测定电路来进行自偏压V_dc的测定。

专利文献1：日本特开2001-148374号公报

专利文献2：日本特开2006-93342号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述方法中需要变更装置或电路的设计，无法简易地进行自偏压V_dc的测定。例如，在专利文献1中，为了将设备设置在处理容器壁内，对处理容器壁进行机械加工。另外，测定用的探针位于从作为测定对象的等离子体离开的位置，因此测定的灵敏度和精度变低。在专利文献2中，需要将自偏压V_dc的测定电路组装到匹配器中，从而需要变更等离子体处理装置的设计。

根据以上内容，在专利文献1、2中，为了组入用于进行自偏压V_dc的测定的探针、测定电路，需要变更等离子体处理装置的机械设计、变更高频电路(匹配器)，有时测定缺乏通用性和简易性。

针对上述课题，本发明的一个侧面的目的在于简易地进行等离子体的自偏压V_dc的测定。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，根据一个方式，提供一种测定装置，所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

发明的效果

根据一个侧面，能够简易地进行等离子体的自偏压V_dc的测定。

附图说明

图1是用于说明自偏压的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的等离子体处理装置和测定装置的一例的图。

图3是用于说明一个实施方式所涉及的自偏压的测定定时的图。

图4是表示一个实施方式所涉及的自偏压的测定定序的一例的图。

图5是表示一个实施方式所涉及的自偏压的测定定序的一例的图。

图6是表示在一个实施方式所涉及的自偏压的计算中使用的模型的一例的图。